[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201711246518.3 | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN109244060B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 董雨陇;梁铭彰;陈芳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了半导体器件及其形成方法。一种半导体器件包括衬底、衬底上方的电介质层、嵌入电介质层中的第一电阻器元件、嵌入电介质层中的第二电阻器元件、衬底中的第一掺杂阱以及衬底中的第二掺杂阱，其中，第一掺杂阱与第一电阻器元件对准，第二掺杂阱与第二电阻器元件对准，第二掺杂阱与第一掺杂阱是非连续的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；电介质层，位于所述衬底上方；第一电阻器元件，嵌入所述电介质层中；第二电阻器元件，嵌入所述电介质层中；第一掺杂阱，位于所述衬底中，所述第一掺杂阱与所述第一电阻器元件对准；以及第二掺杂阱，位于所述衬底中，所述第二掺杂阱与所述第二电阻器元件对准，所述第二掺杂阱与所述第一掺杂阱是非连续的。
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