[发明专利]半导体元件及其制作方法在审
申请号: | 201711240604.3 | 申请日: | 2017-11-30 |
公开(公告)号: | CN109103170A | 公开(公告)日: | 2018-12-28 |
发明(设计)人: | 陈伟铭;俞笃豪;丁国强;侯上勇;吴集锡 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/535 | 分类号: | H01L23/535 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明实施例涉及半导体元件及其制作方法。本发明实施例涉及一种半导体装置,其包括第一电子组件、第二电子组件及多个互连结构。所述第一电子组件具有第一表面。所述第二电子组件在所述第一电子组件上方,且所述第二电子组件具有面对所述第一电子组件的所述第一表面的第二表面。所述互连结构在所述第一电子组件与所述第二电子组件之间且电连接到所述第一电子组件及所述第二电子组件,其中所述互连结构中的每一者具有沿着大体上平行于所述第一表面及所述第二表面的第一方向的长度、沿着大体上平行于所述第一表面及所述第二表面且大体上垂直于所述第一方向的第二方向的宽度,且所述互连结构中的至少一者的所述长度大于所述宽度。 | ||
搜索关键词: | 电子组件 第一表面 互连结构 第二表面 半导体元件 平行 半导体装置 电连接 制作 垂直 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,其包含:第一电子组件,其具有第一表面;第二电子组件,其在所述第一电子组件上方,所述第二电子组件具有面对所述第一电子组件的所述第一表面的第二表面;以及多个互连结构,其在所述第一电子组件与所述第二电子组件之间且电连接到所述第一电子组件及所述第二电子组件,其中所述互连结构中的每一者具有沿着大体上平行于所述第一表面及所述第二表面的第一方向的长度、沿着大体上平行于所述第一表面及所述第二表面且大体上垂直于所述第一方向的第二方向的宽度,且所述互连结构中的至少一者的所述长度大于所述宽度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711240604.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体器件
- 下一篇:具有减少的射频损耗的器件封装体