[发明专利]一种上电复位电路及芯片

摘要

本发明提供一种上电复位电路及芯片，电路包括二极管、第一NMOS管以及缓冲器，还包括：电压抬升模块，控制端与二极管的阴极相连，第一端与电源相连，第二端与第一NMOS管的源端相连，当二极管的阴极电压值小于电压抬升模块的关断阈值电压时，电压抬升模块处于导通状态；延时控制模块，控制端与电源相连，第一端与缓冲器的输入端相连，第二端与第一NMOS管的源端相连，第三端接地，根据电源电压的上升速度和第一NMOS管是否导通，调节从二极管导通至缓冲器翻转的延时时间，使复位信号宽度处于预设宽度范围。本发明能解决传统上电复位电路中存在的电源电压上升速度快时复位信号宽度过窄和电源电压上升速度慢时复位信号宽度过宽的问题。

主权项

1.一种上电复位电路，其特征在于，所述上电复位电路包括二极管、第一NMOS管以及缓冲器，所述上电复位电路还包括：电压抬升模块，所述电压抬升模块的控制端与所述二极管的阴极相连，所述电压抬升模块的第一端与电源相连，所述电压抬升模块的第二端与所述第一NMOS管的源端相连，所述电压抬升模块具有关断阈值电压，当所述二极管的阴极电压值小于所述关断阈值电压时，所述电压抬升模块处于导通状态；延时控制模块，所述延时控制模块的控制端与所述电源相连，所述延时控制模块的第一端与所述缓冲器的输入端相连，所述延时控制模块的第二端与所述第一NMOS管的源端相连，所述延时控制模块的第三端接地，所述延时控制模块根据电源电压的上升速度和所述第一NMOS管是否导通的情况，调节从所述二极管导通至所述缓冲器翻转所需的延时时间，以使所述上电复位电路产生的复位信号宽度处于预设宽度范围。