[发明专利]制造高密度半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201711217841.8 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN108122778A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 周雷峻;陈志良;赖志明;杨超源;曾晋沅;陈欣志;朱熙宁;曾健庭;萧锦涛;刘如淦;林威呈;林纬良 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制造半导体装置的方法包括：在衬底上沉积第一材料；在所述衬底上沉积第二材料，所述第二材料的蚀刻选择性与所述第一材料的蚀刻选择性不同；在所述第一材料及所述第二材料上沉积间隔壁材料；以及使用所述间隔壁材料作为蚀刻掩模来蚀刻所述衬底，以在所述第一材料之下形成鳍以及在所述第二材料之下形成鳍。 | ||
| 搜索关键词： | 第二材料 第一材料 衬底 沉积 间隔壁材料 蚀刻选择性 蚀刻 高密度半导体 半导体装置 蚀刻掩模 制造 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上沉积第一材料；在所述衬底上沉积第二材料，所述第二材料的蚀刻选择性与所述第一材料的蚀刻选择性不同；在所述第一材料及所述第二材料上沉积间隔壁材料；以及使用所述间隔壁材料作为蚀刻掩模来蚀刻所述衬底，以在所述第一材料之下形成鳍以及在所述第二材料之下形成鳍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
