[发明专利]光电二极管及其制造工艺

摘要

本发明提供了光电二极管，包括耗尽层、阳极金属，及顺序设置的阴极金属、N型掺杂阴极区、P型掺杂阳极区和绝缘层；阴极金属、N型掺杂阴极区和P型掺杂阳极区电性导通，耗尽层封闭于N型掺杂阴极区与P型掺杂阳极区之间，阳极金属的一端穿过绝缘层并与P型掺杂阳极区电性导通。还提供了光电二极管的制造工艺：在N型掺杂阴极区上外延生长出感光区；在感光区的上外延生长出P型掺杂阳极区；在P型掺杂阳极区上生长出绝缘层；在绝缘层上的接触窗口处沉积阳极金属，在N型掺杂阴极区背离P型掺杂阳极区的一侧沉积阴极金属；耗尽感光区形成耗尽层。P型掺杂阳极区和N型掺杂阴极区封闭耗尽层，避免耗尽层外露，有效消除表面漏电，明显增加信噪比。

主权项

1.光电二极管，包括阴极金属、N型掺杂阴极区、P型掺杂阳极区、绝缘层和阳极金属，所述阴极金属、所述N型掺杂阴极区、所述P型掺杂阳极区和所述绝缘层顺序设置，所述阴极金属、所述N型掺杂阴极区和所述P型掺杂阳极区电性导通，其特征在于：还包括耗尽层，所述耗尽层封闭包裹于所述N型掺杂阴极区与所述P型掺杂阳极区之间，所述绝缘层上设有接触窗口，且所述阳极金属的一端穿过所述接触窗口并与所述P型掺杂阳极区电性导通。