[发明专利]光电二极管及其制造工艺

权利要求书

1.光电二极管的制造工艺，其特征在于：包括如下步骤：

准备N型掺杂阴极区；

在所述N型掺杂阴极区上外延生长出感光区；

在所述感光区的上外延生长出P型掺杂阳极区，且所述P型掺杂阳极区与所述N型掺杂阴极区封闭包裹所述感光区；

在所述P型掺杂阳极区上生长出绝缘层，且所述绝缘层上设有接触窗口；

在所述接触窗口处沉积阳极金属，在所述N型掺杂阴极区背离所述P型掺杂阳极区的一侧沉积阴极金属；

在所述阴极金属上加高电位，在所述阳极金属加低电位，耗尽所述感光区，形成耗尽层。

2.如权利要求1所述的光电二极管的制造工艺，其特征在于：在所述N型掺杂阴极区上外延生长出所述感光区的步骤包括：

在所述N型掺杂阴极区上通过气相外延形成感光层，再对所述感光层进行蚀刻得到所述感光区。

3.如权利要求1所述的光电二极管的制造工艺，其特征在于：在所述P型掺杂阳极区上生长出所述绝缘层的步骤包括：

对所述P型掺杂阳极区进行抛光，在抛光后的所述P型掺杂阳极区上高温生长绝缘膜，对所述绝缘膜进行蚀刻得到所述绝缘层。

4.如权利要求1所述的光电二极管的制造工艺，其特征在于：还包括如下步骤：所述绝缘层上设有覆盖所述感光区的感光窗口，在所述感光窗口内高温生长缓冲层，所述缓冲层封闭所述感光窗口；在所述缓冲层上气相沉积抗反射层，且所述抗反射层位于所述感光窗口内并封闭所述感光窗口。

5.如权利要求1所述的光电二极管的制造工艺，其特征在于：还包括如下步骤：在所述P型掺杂阳极区面向所述接触窗口的一侧通过离子注入的方式形成P型高掺杂区。

6.如权利要求1所述的光电二极管的制造工艺，其特征在于：所述感光区采用N型掺杂，且所述感光区内的N型材料的掺杂浓度小于所述N型掺杂阴极区内的N型材料的掺杂浓度。