[发明专利]形成封装结构的方法在审
| 申请号： | 201711191306.X | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN108695242A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 戴志轩;郭婷婷;黄育智;林志伟;林修任;陈志华;郑明达;谢静华;蔡豪益;刘重希 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成封装结构的方法，包含：设置半导体装置在第一介电层上方，其中第一重分布线在第一介电层中；形成模制化合物在第一介电层上方并与半导体装置的侧壁接触；形成第二介电层在模制化合物及半导体装置上方；形成第一开口在第二介电层、模制化合物及第一介电层中以暴露第一重分布线；以及形成第一导体在第一开口中，其中第一导体电连接至第一重分布线。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 半导体装置 模制化合物 重分布线 封装结构 开口 导体电连接 导体 侧壁接触 电层 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种形成封装结构的方法，其特征在于，该方法包含：设置一半导体装置在一第一介电层上方，其中一第一重分布线在该第一介电层中；形成在该第一介电层上方并与该半导体装置的一侧壁接触的一模制化合物；形成一第二介电层在该模制化合物及该半导体装置上方；形成一第一开口在该第二介电层、该模制化合物及该第一介电层中以暴露该第一重分布线；以及形成一第一导体在该第一开口中，其中该第一导体电连接至该第一重分布线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
