[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201711187584.8 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN108039373A | 公开（公告）日： | 2018-05-15 |
| 发明（设计）人： | 钟旻;陈寿面 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/51 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，自下而上包括：栅极；位于栅极上的栅极介电层；位于栅极介电层上的沟道层；位于栅极两侧的沟道层上的源漏电极；其中，栅极介电层至少由改性的第一二维晶体薄膜形成，沟道层由第二二维晶体薄膜形成。本发明能够有效提高以二维晶体薄膜作为沟道层材料时沟道层的载流子迁移率。本发明还公开了一种能够与现有的CMOS工艺兼容的半导体器件的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，自下而上包括：栅极；位于栅极上的栅极介电层；位于栅极介电层上的沟道层；位于栅极两侧的沟道层上的源漏电极；其中，所述栅极介电层至少由改性的第一二维晶体薄膜形成，所述沟道层由第二二维晶体薄膜形成。
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