[发明专利]一种异质结双极晶体管基极基座使用单层光罩蚀刻方法有效
| 申请号： | 201711173577.2 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN107910363B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 谢骞 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/36;H01L29/66;H01L29/737 |
| 代理公司： | 51223 成都华风专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 徐丰;张巨箭 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种异质结双极晶体管基极基座使用单层光罩蚀刻方法，包括：S1：通过光刻以及通过H | ||
| 搜索关键词： | 一种 异质结 双极晶体管 基极 基座 使用 单层 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种异质结双极晶体管基极基座使用单层光罩蚀刻方法，其特征在于：包括以下步骤：/nS1：通过光刻以及通过H
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