[发明专利]一种氮化镓纳米孔洞的制备方法有效
| 申请号： | 201711166808.7 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN107978662B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 邢琨;王江涛;张东京;徐本宏;戴业成 | 申请（专利权）人： | 合肥芯灿半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/16;H01L33/18;H01L33/00 |
| 代理公司： | 34112 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 231231 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓纳米孔洞的制备方法，本发明制备的氮化镓纳米孔洞结构有助于释放氮化镓外延生长过程中产生的应力，进而提升半导体的光电属性，尤其是氮化镓基LED的发光效率；同时氮化镓纳米孔洞结构可作为氮化镓复合图形衬底，应用于在氮化镓MOCVD的二次外延上，大幅提升氮化镓材料的晶体质量。本发明制备氮化镓纳米孔洞结构的方法，制备过程简单，制造成本低、制备产品的成功率高、制备产品的效果好，重复率高，易于进行规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 纳米 孔洞 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓纳米孔洞的制备方法，其特征在于，包括以下具体步骤：/n（1）首先在衬底上镀一层氮化铝层，然后在氮化铝层上外延一层氮化镓层，之后在氮化镓层上镀一层二氧化硅层；/n（2）在二氧化硅层上蒸镀金层，然后在金层上蒸镀一层镍金属层，将镍金属层在一定温度下退火处理0.5-3分钟，形成镍金属岛结构；/n（3）在镍金属层上蒸镀铂金金属层，使得镍金属岛结构的高度大于铂金金属层的厚度，获得氮化镓晶体结构；/n（4）将氮化镓晶体结构浸泡在王水中2-5分钟，使得镍金属岛结构溶解于王水中，氮化镓晶体结构形成裸露金层的纳米孔洞；/n（5）采用一定的工艺刻蚀纳米孔洞中的金层、二氧化硅层及氮化镓层，即得氮化镓纳米孔洞结构；/n步骤（2）中所述的一定温度下是指800-900℃的温度；/n步骤（3）中所述的铂金金属层的厚度为8-10纳米；/n步骤（5）中所述的采用一定的工艺刻蚀纳米孔洞中的金层、二氧化硅层及氮化镓层具体是指：以铂金金属层作为掩模，刻蚀金层；以铂金金属层作为掩模，利用反应离子刻蚀二氧化硅层；以二氧化硅层作为掩模，利用ICP刻蚀氮化镓层。/n
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