[发明专利]一种氮化镓纳米孔洞的制备方法有效
| 申请号： | 201711166808.7 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN107978662B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 邢琨;王江涛;张东京;徐本宏;戴业成 | 申请（专利权）人： | 合肥芯灿半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/16;H01L33/18;H01L33/00 |
| 代理公司： | 34112 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 231231 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 纳米 孔洞 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化镓纳米孔洞的制备方法，其特征在于，包括以下具体步骤：
（1）首先在衬底上镀一层氮化铝层，然后在氮化铝层上外延一层氮化镓层，之后在氮化镓层上镀一层二氧化硅层；
（2）在二氧化硅层上蒸镀金层，然后在金层上蒸镀一层镍金属层，将镍金属层在一定温度下退火处理0.5-3分钟，形成镍金属岛结构；
（3）在镍金属层上蒸镀铂金金属层，使得镍金属岛结构的高度大于铂金金属层的厚度，获得氮化镓晶体结构；
（4）将氮化镓晶体结构浸泡在王水中2-5分钟，使得镍金属岛结构溶解于王水中，氮化镓晶体结构形成裸露金层的纳米孔洞；
（5）采用一定的工艺刻蚀纳米孔洞中的金层、二氧化硅层及氮化镓层，即得氮化镓纳米孔洞结构；
步骤（2）中所述的一定温度下是指800-900℃的温度；
步骤（3）中所述的铂金金属层的厚度为8-10纳米；
步骤（5）中所述的采用一定的工艺刻蚀纳米孔洞中的金层、二氧化硅层及氮化镓层具体是指：以铂金金属层作为掩模，刻蚀金层；以铂金金属层作为掩模，利用反应离子刻蚀二氧化硅层；以二氧化硅层作为掩模，利用ICP刻蚀氮化镓层。
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