[发明专利]一种检测接触孔底部钨栓缺失缺陷的方法有效

申请号：	201711132944.4	申请日：	2017-11-15
公开（公告）号：	CN107919295B	公开（公告）日：	2020-02-14
发明（设计）人：	范荣伟	申请（专利权）人：	上海华力微电子有限公司
主分类号：	H01L21/66	分类号：	H01L21/66;H01L21/768
代理公司：	31272 上海申新律师事务所	代理人：	俞涤炯
地址：	201203 上海市浦***	国省代码：	上海;31
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明提供了一种检测接触孔底部钨栓缺失缺陷的方法，应用于半导体检测阶段，其中，包括以下步骤：对一晶圆进行离子注入，形成阱区；在所述晶圆表面生长一金属硅化物层；在所述金属硅化物表面形成一层间介质层，在所述层间介质层内形成钨栓；使用一检测机台对所述晶圆进行缺陷检测。有益效果：通过建立陷检测结构与对应的工艺流程，并调试对应的电子束扫描条件，建立针对以上问题的在线监控数据指标，从而为良率提升和产品研发做出贡献。
搜索关键词：	层间介质层晶圆钨栓机台金属硅化物层半导体检测电子束扫描金属硅化物表面形成产品研发晶圆表面缺陷检测数据指标在线监控工艺流程接触孔种检测检测良率阱区离子调试生长应用
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

1.一种检测接触孔底部钨栓缺失缺陷的方法，应用于半导体检测阶段，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤S1、对一晶圆进行离子注入，形成阱区；/n步骤S2、在所述晶圆表面生长一金属硅化物层；/n步骤S3、在所述金属硅化物表面形成一层间介质层，在所述层间介质层内形成钨栓；/n步骤S4、使用一检测机台对所述晶圆进行缺陷检测；/n所述步骤S3包括以下分步骤：/n步骤S31、于所述金属硅化物层表面淀积一层间介质层；/n步骤S32、于所述层间介质层表面淀积一掩膜层，图案化所述掩膜层，在所述层间介质层的预定位置形成工艺窗口；/n步骤S33、通过所述掩膜层对所述层间介质层进行刻蚀，贯通所述层间介质层，停留在所述金属硅化物层表面；/n步骤S34、去除所述掩膜层；/n步骤S35、于所述层间介质层表面和所述金属硅化物层表面淀积一金属钨层；/n步骤S36、对所述金属钨层进行平坦化处理，得到所述钨栓。/n

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711132944.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

[发明专利]一种检测接触孔底部钨栓缺失缺陷的方法有效

专利文献下载