[发明专利]金属硅化物层的形成方法和NMOS晶体管的形成方法在审

专利信息
申请号: 201210214745.9 申请日: 2012-06-26
公开(公告)号: CN103515217A 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: 肖海波;鲍宇;平延磊 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/283 分类号: H01L21/283;H01L21/336
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种金属硅化物层的形成方法和NMOS晶体管的形成方法。所述金属硅化物层的形成方法包括:提供半导体衬底;采用物理气相沉积工艺,在所述半导体衬底上形成金属层,所述金属层包括碲元素;以及对所述半导体衬底及所述金属层进行热处理,在所述半导体衬底上形成金属硅化物层。在用于形成金属硅化物层的金属层中加入碲元素,使得金属硅化物层中包括碲元素,降低了金属硅化物层和与之接触的硅材料之间的肖特基势垒。
搜索关键词: 金属硅 化物层 形成 方法 nmos 晶体管
【主权项】:
一种金属硅化物层的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底;采用物理气相沉积工艺,在所述半导体衬底上形成金属层,所述金属层包括碲元素;以及对所述半导体衬底及所述金属层进行热处理,在所述半导体衬底上形成金属硅化物层。
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