[发明专利]巨介电常数电容器及其制备方法在审
| 申请号： | 201711123815.9 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN107946073A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 郑分刚;刘凯;孙亚龙 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01G4/06 | 分类号： | H01G4/06;H01G4/30;H01G4/00 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32295 | 代理人： | 叶栋 |
| 地址： | 215000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种巨介电常数电容器，所述巨介电常数电容器包括上层、中层与下层，所述上层与下层均为绝缘体，所述中层为半导体。本发明的巨介电常数电容器通过将巨介电常数电容器外部即上层与下层设置成绝缘体，中层设置为半导体，由于半导体具有较多载流子和空间电荷，这些正负电荷在外加电场的作用下发生分离，分别在上、下表面绝缘体靠近半导体的一侧聚积形成极化，以达到形成较大的介电常数的效果；又因为这些聚积的电荷并被限制在绝缘体下而不是参与到外电路中形成电流，达到漏电损耗小的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种巨介电常数电容器，其特征在于，所述巨介电常数电容器包括上层、中层与下层，所述上层与下层均为绝缘体，所述中层为半导体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州大学，未经苏州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711123815.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种具有定位功能的磁环绕线机
- 下一篇：一种单层电容器及制备方法
- 同类专利
- 埋入式电容材料、其制备方法及印制线路板-201910434319.8
- 罗遂斌;于淑会;孙蓉 - 深圳先进技术研究院
- 2019-05-23 - 2019-10-08 - H01G4/06
- 本发明涉及电子封装材料技术领域，具体涉及一种埋入式电容材料、其制备方法及印制线路板。所述电容材料包括：两个电极层；以及设于所述两个电极层之间的复合型电介质层，所述复合型电介质层的原料组成包括聚合材料、导热性填料和高介电填料。本发明的埋入式电容材料设置了包含聚合材料、导热性填料和高介电填料的复合型电介质层，在减小了介电损耗和漏电流、提高了埋入式电容材料的电容密度的同时，还提高了导热率，能够满足PCB双面蚀刻工艺的要求。
- 一种大容量电容器介质的电子浆料及制备方法和应用-201910427474.7
- 李梦莹;齐建全;柳彬德;王亭惠;张君;吴晶晶;孟凡胜;谢佳琪;王健;熊辛凯;孙晴雯;马振伟;韩秀梅 - 东北大学秦皇岛分校
- 2019-05-22 - 2019-09-13 - H01G4/06
- 本发明公开了属于电子材料制备技术领域的一种大容量电容器介质的电子浆料及制备方法和应用，本发明制备电子浆料是用于大容量电容器介质的免烧电子浆料。是以具有pn结结构的MnO2和BaTiO3用化学液相沉积得到的杂化材料为主成分的电子浆料；这种电子浆料通过印刷、喷涂、3D打印等方法形成厚膜材料干燥后无需烧结，其相对介电常数超过105以上，可以形成大容量电容器材料的介质层。浸润到纸中，可以制备高介电常数的纸介质。通过与金属导电浆料交替印刷所获得电容器为大容量全固态，非常适合表面安装；制备工艺简单，成本低、用途范围广泛。
- 一种高储能密度电介质材料的制备方法-201910594198.3
- 张海波;叶宝华;范鹏元;姜礼;朱义为 - 华中科技大学;东莞市普隆电子有限公司
- 2019-07-03 - 2019-09-13 - H01G4/06
- 本发明提供一种高储能密度电介质材料的制备方法，涉及薄膜材料生产技术领域。包括以下步骤：超声混合分散、混合离心洗涤、干燥煅烧、混合离心洗涤、分散混合、刮平干燥热处理、淬火烘干。本发明采用SrTiO3作为电介质材料的填充物，并且通过SiO2和多巴胺依次对其进行包覆和修饰，有效提高了电介质材料的储能密度、储能效率和击穿场强，使制得的电介质材料在350MV/m的电场强度下最高达到11.42J/cm3的储能性能，且储能效率最高达到55.04％。
- 一种高介电常数的塑料薄膜-201910395996.3
- 张自魁;潘世佳 - 上海皓月新能源科技有限公司
- 2019-05-14 - 2019-08-02 - H01G4/06
- 本发明涉及一种高介电常数的塑料薄膜，它包括一种有机塑料薄膜及氧化钽。氧化钽以纳米级状态均匀附着于有机塑料薄膜上或有机塑料薄膜中间，有机塑料薄膜为氧化钽的附着载体；氧化钽体积比含量为10％‑55％。由于氧化钽的高介电常数，使得塑料薄膜的介电常数得到较大提升，形成高介电常数的塑料薄膜。利用这种高介电常数的塑料薄膜制作电容器，在得到塑料薄膜电容器的可靠性能时，可大大减小有机薄膜电容器的体积，减小了产品的安装空间，且降低了产品成本。
- 高温下高储能密度和高充放电效率的电容器薄膜制备方法-201810788742.3
- 李琦;何金良;成桑;周垚 - 清华大学
- 2018-07-18 - 2018-12-07 - H01G4/06
- 本发明公开了一种高温下高储能密度和高充放电效率的电容器薄膜制备方法，通过真空射频磁控溅射技术在聚合物电容器薄膜表面先后沉积高介电常数层和高绝缘性能薄层。利用高介电常数层具有高介电常数的特点，以提高薄膜的等效介电常数，从而提高其能量密度。利用高绝缘性能薄层的宽能带隙，将其作为电荷阻挡层，从而有效抑制高温高电场作用下由于电极处的电荷注入而形成的泄漏电流，进而提高聚合物电容器薄膜在高温高电场作用下的充放电效率，达到同时提高聚合物电容器薄膜在高温下的储能密度和充放电效率的目的。
- 一种基于磁控溅射的高介电电容器薄膜制备方法-201810788762.0
- 李琦;成桑;何金良;周垚;曾嵘 - 清华大学
- 2018-07-18 - 2018-12-07 - H01G4/06
- 本发明公开了一种基于磁控溅射的高介电电容器薄膜制备方法，通过真空射频磁控溅射技术在聚合物电容器薄膜表面沉积高介电常数层，利用高介电常数层的高介电常数提高薄膜整体的介电常数，并且不对聚合物电容器薄膜原有的性能造成影响，从而提高复合薄膜的储能密度。
- 一种具有无机/有机层状结构的高性能电容器薄膜结构-201810788806.X
- 李琦;周垚;何金良;胡军 - 清华大学
- 2018-07-18 - 2018-11-30 - H01G4/06
- 本发明公开了一种具有无机/有机层状结构的高性能电容器薄膜结构，包括有有机聚合物电容器薄膜，并在所述聚合物电容器薄膜的上、下表面增加有高绝缘性能的无机电绝缘介质薄层以构筑具有层状结构的无机/有机高性能电容器薄膜。通过在金属电极和有机聚合物电容器薄膜之间引入无机电绝缘介质薄层，利用无机电绝缘介质薄层的宽能带隙特点将其作为电荷阻挡层以抑制高温高电场下的泄漏电流从而避免目前电容器薄膜中存在由于泄漏电流过大而引起的热失稳现象，同时提高电容器薄膜在高温高电场作用下的充放电效率、放电能量密度和工作温度，以满足工业应用中的高温需求。
- 一种双面电容器用薄膜-201810586613.6
- 石卫明 - 如皋市欧通机械配件有限公司
- 2018-06-06 - 2018-09-14 - H01G4/06
- 本发明提供了一种双面电容器用薄膜，其包括：电介质层(1)，其具有第一表面(11)及与所述第一表面(11)相对的第二表面(12)；镀锌层(2)，其分别位于所述第一表面(11)和第二表面(12)上，所述镀锌层(2)与所述电介质层(1)的边缘处留有空白区域(4)；镀铝层(3)，其分别位于所述第一表面(11)和第二表面(12)的镀锌层(2)上，其中，所述镀铝层(3)上至少一边缘处形成有加厚凸边(31)。与现有技术相比，本发明的电容器用薄膜，其抗大电流、自愈能力强且散热好。
- 一种单层电容器-201721837795.7
- 丁明建;李杰成;杨俊锋;冯毅龙;庄彤 - 广州天极电子科技有限公司
- 2017-12-26 - 2018-07-06 - H01G4/06
- 本实用新型公开一种单层电容器。所述单层电容器包括：上电极、第一介质层、内电极、第二介质层和下电极；所述上电极与所述内电极通过所述第一介质层连接，所述内电极与所述下电极通过所述第二介质层连接；所述第一介质层的厚度小于所述第二介质层的厚度；其中，所述第二介质层设有通孔，所述通孔中填充有电极材料，所述电极材料连接所述内电极和所述下电极。本实用新型提供的单层电容器在增加电容器容量的同时保持电容器良好的机械强度。
- 一种电容器芯子-201721746207.9
- 李小燕;王增文;莫华明;卢有盟;梁琮;肖晓红;刘雁兵;宋守龙;沈程炼;黄火明;王军贵;李必春;顾风彪 - 桂林电力电容器有限责任公司
- 2017-12-14 - 2018-06-22 - H01G4/06
- 本实用新型涉及一种电容器芯子，由两个或两个以上扁平状的元件层叠绕卷压扁构成，所述元件的上平面裸露出第一金属电极，所述元件的下端面裸露出第二金属电极，相邻两个所述元件之间的第一金属电极的裸露部分和第二金属电极的裸露部分相互连接。相对现有技术，本实用新型能够简化结构，有效减少零部件，减少了工艺程序，装配简单、方便，提高了生产效率；减少了元件的损伤率，降低生产成本；相邻元件之间的电极接触面增大，能够改善电容器的电气性能。
- 一种纳米结构电介质电容器及其制备方法-201610634352.1
- 朱绪飞;范昊雯;王晶;张伟康;廖茂颖;宋晔 - 南京理工大学
- 2016-08-05 - 2018-06-12 - H01G4/06
- 本发明公开了一种纳米结构电介质电容器及其制备方法，首先通过阳极氧化技术制备有序氧化钛纳米管阵列膜，然后进行氮化将氧化钛纳米管阵列膜转变为氮化钛纳米管阵列膜，再在氮化钛纳米管阵列表面利用阳极氧化保形性地制备氧化钛电介质膜，最后均匀沉积一层导电高分子膜作为对电极，形成氮化钛/氧化钛/导电高分子体系的全固态纳米电介质电容器。本发明通过简单的阳极氧化技术，可以实现电介质电容器比容量的大幅提高。
- 巨介电常数电容器及其制备方法-201711123815.9
- 郑分刚;刘凯;孙亚龙 - 苏州大学
- 2017-11-14 - 2018-04-20 - H01G4/06
- 本发明涉及一种巨介电常数电容器，所述巨介电常数电容器包括上层、中层与下层，所述上层与下层均为绝缘体，所述中层为半导体。本发明的巨介电常数电容器通过将巨介电常数电容器外部即上层与下层设置成绝缘体，中层设置为半导体，由于半导体具有较多载流子和空间电荷，这些正负电荷在外加电场的作用下发生分离，分别在上、下表面绝缘体靠近半导体的一侧聚积形成极化，以达到形成较大的介电常数的效果；又因为这些聚积的电荷并被限制在绝缘体下而不是参与到外电路中形成电流，达到漏电损耗小的效果。
- 一种单层电容器及制备方法-201711426144.3
- 丁明建;李杰成;杨俊锋;冯毅龙;庄彤 - 广州天极电子科技有限公司
- 2017-12-26 - 2018-04-20 - H01G4/06
- 本发明公开一种单层电容器及制备方法。所述单层电容器包括上电极、第一介质层、内电极、第二介质层和下电极；所述上电极与所述内电极通过所述第一介质层连接，所述内电极与所述下电极通过所述第二介质层连接；所述第一介质层的厚度小于所述第二介质层的厚度；其中，所述第二介质层设有通孔，所述通孔中填充有电极材料，所述电极材料连接所述内电极和所述下电极。本发明提供的单层电容器在增加电容器容量的同时保持电容器良好的机械强度。
- 一种高比容量纳米电介质电容器及其制备方法-201610640912.4
- 宋晔;邢季;范昊雯;廖茂颖;张伟康;朱绪飞 - 南京理工大学
- 2016-08-05 - 2018-04-03 - H01G4/06
- 本发明公开了一种高比容量纳米电介质电容器及其制备方法，本发明利用PAA模板的有序纳米孔洞阵列，通过真空熔融热压法在铝片表面得到相应的铝质纳米圆柱阵列，然后通过利用氧化法在铝质纳米圆柱阵列表面形成一层氧化铝电介质膜，最后在氧化铝电介质膜上覆盖一层导电高分子薄膜作为对电极，从而形成导体/电介质/导体的纳米电容器结构。本发明的方法容易实现电极纳米结构的保形性，能够使电介质电容器的比容量大幅提高。
- 无铅铁电厚膜及制作方法-201610259708.8
- 郝喜红;王佳恒;李晓伟;张奇伟;孙宁宁;安胜利 - 内蒙古科技大学
- 2016-04-22 - 2018-03-30 - H01G4/06
- 本发明属于电子功能材料与器件技术领域，提供一种无铅铁电厚膜，该无铅铁电厚膜包括化学通式为Na0.5Bi0.5Ti1‑xMnxO3的材料，其中0＜x≤0.2。通过Mn的掺杂，能够降低漏电流，提高储能密度，有助于晶体的生长取向，使晶相由不利于储能的三方相向四方或伪立方相转变。在外加电场的作用下，Na0.5Bi0.5Ti1‑xMnxO3铁电厚膜弱的铁电性转变为长程有序的铁电相，能够获得较大的极化差值，从而有利于储能密度的增加和储能效率的提高，本发明无铅铁电厚膜能够提高储能密度、储能效率及稳定性，有利于高功率大容量存储电容器件的开发和应用。
- 一种高可靠性电容器-201720515668.9
- 叶建勇 - 佛山市蓝钻电子有限公司
- 2017-05-10 - 2017-12-15 - H01G4/06
- 本实用新型公开了一种高可靠性电容器，包括外壳体，外壳体为中空结构，外壳体内腔设有电容芯子组，电容芯子组采用多层环状纸质体，环状纸质体最内层和最外层均设有铝箔片，铝箔片电性连接外壳体内腔的第一导片极和第二导片极，第一导片极和第二导片极分别电性连接设置在外壳体上端外部的第一电极触头和第二电极触头，外壳体外壁上设有散热组件，本实用新型结构简单，采用的电容芯子组抗干扰能力好，提高了电容的可靠性；另外采用的散热组件散热效果佳，能够延长电容器的使用寿命。
- 可降解电容器及其制造方法-201510557924.6
- 李舟;王心心;李虎;邹洋;赵璐明;王中林 - 北京纳米能源与系统研究所
- 2015-09-02 - 2017-03-08 - H01G4/06
- 本发明涉及电子领域，公开了一种可降解电容器及其制造方法。其中，该电容器包括；第一电极层；可降解电介质层，设置在所述第一电极层上并与所述第一电极层接触；以及第二电极层，设置在所述可降解电介质层上并与所述可降解电介质层接触。本发明上述的可降解电容器由于采用了可降解材料，所以在其失效后能够在自然环境中降解，无需回收，降低了成本。
- 一种改进型新能源电容器用薄膜-201520501676.9
- 朱维 - 南通江森电子科技有限公司
- 2015-07-13 - 2016-08-24 - H01G4/06
- 本实用新型涉及一种改进型新能源电容器用薄膜，所述薄膜由上、下两层绝缘介质层拼接而成，且在上层绝缘介质层的上端及下层绝缘介质层的下端均镀有一层金属铝层，在金属铝层的侧端还具有一沿着薄膜长轴方向延伸的铝层加厚层，且两层金属铝层上的铝层加厚层分别位于金属铝层上的不同侧，铝层加厚层的方阻在1-1.5Ω/♢之间，金属铝层的方阻在15-20Ω/♢之间。本实用新型的优点在于：在本实用新型中，将原先的锌层加厚区现更改为铝层加厚层，铝的电阻率为Ω·（mm）2，导电率为0.6321，其导电性能比锌好，而且利用铝不易被氧化的特性，可以有效的避免氧化现象的发生，增加其使用寿命。
- 高电容单层电容器及其制造方法-201480071924.9
- P·K·苏德;C·纳多;J·T·切瑞;B·奥尼尔 - 楼氏卡泽诺维亚公司
- 2014-11-20 - 2016-08-17 - H01G4/06
- 一种电容器，该电容器包括：介电基体、金属化层、以及形成在金属化层的一部分上的非常薄的介电层，电极形成在该介电层上。本发明的方法允许形成电容器的阵列，以提供在较厚介电基板上支撑的非常薄的功能性介电层。所得到的电容器具有针对其大小的极高电容。
- 一种采用包绕结构的电容器-201521042857.6
- 贾华;刘策 - 中国西电电气股份有限公司
- 2015-12-14 - 2016-05-18 - H01G4/06
- 本实用新型公开了一种采用包绕结构的电容器，包括电容器器身(1)、组装件和电缆纸(6)，其中，所述的组装件包括分别套装在电容器器身(1)上下两端的上护盒(2)和下护盒(3)；上护盒(2)的顶面上开设有通孔，电容器器身(1)的引线片通过该通孔伸出至电容器器身(1)上端；电缆纸(6)用于包绕在电容器器身(1)和两个护盒的周向上。本实用新型能够解决端部电缆纸折压造成的引线困难、装箱不便、费时费力等问题，同时减少电缆纸的用量。
- 膜电容器-201510701262.5
- 长谷康平;济藤孝博 - 丰田自动车株式会社
- 2015-10-26 - 2016-05-04 - H01G4/06
- 一种膜电容器通过在厚度方向上堆叠金属化膜而形成。在金属化膜的每一者中，在电介质膜的表面上形成金属电极。电介质膜包括高电介质层和低电介质层，高电介质层具有相对高的高电介质填料含量，低电介质层具有相对低的高电介质填料含量或者不包含高电介质填料。低电介质层被设置在以下位置的至少一者上：即，位于高电介质层与金属电极之间的位置，以及位于高电介质层的与金属电极相反的一侧的位置。
- 应用于准法拉第超级电容器的复合基材及其制法与应用-201510431582.3
- 吴永德;左知辰;孙明;李子华 - 苏州电力电容器有限公司
- 2015-07-21 - 2015-10-21 - H01G4/06
- 本发明公开了一种应用于准法拉第超级电容器的复合基材，包括导电载体以及固定结合于导电载体表面的复合介质层，所述复合介质层主要由巨介电常数陶瓷粉体材料、包覆于巨介电常数陶瓷粉体材料表面的绝缘包覆层、粘结剂组成，所述巨介电常数陶瓷粉体材料的相对介电常数在10000以上本发明还提供了制作所述复合基材的方法复合基材本发明的复合基材在应用于制备超级电容时，具有易于加工的优点，并且制成的准法拉第超级电容器具有容量大，储能密度、比特性高，无正负极性，可快充快放，充放电循环寿命长，且基本无容量衰减，安全环保等优点，应用前景广阔。
- 一种高可靠性电容器-201410569148.7
- 付冲 - 苏州华冲精密机械有限公司
- 2014-10-23 - 2015-01-21 - H01G4/06
- 本发明公开了一种高可靠性电容器，包括电极板和介质，所述电极板位于所述介质的中间，所述介质的表层包裹有一层绝缘薄膜，所述绝缘薄膜的材料为塑料和玻璃纤维高温融合而成，所述电极板的材料为金属化聚酯膜，所述介质的材料为金属化聚丙烯膜，所述电极板和所述介质通过高温聚合的方式连接成一体，通过上述方式，本发明能够使电容器更加持久耐用，提高整体结构的可靠性。
- 一种新型电容器用粗化膜-201320872891.0
- 宋俊青;尹朝前;沈立营 - 河北海伟集团电子材料有限公司
- 2013-12-28 - 2014-05-28 - H01G4/06
- 本实用新型涉及一种新型电容器用粗化膜，其特征在于粗化膜本体的上表面和下表面设置成凹凸不平的粗糙面，粗化膜本体的上表面上设置有上表面凸起和上表面凹槽，粗化膜本体的下表面上设置有下表面凸起和下表面凹槽，粗化膜本体上表面上的上表面凸起与粗化膜本体下表面上的下表面凹槽上下相对设置，粗化膜本体上表面上的上表面凹槽与粗化膜本体下表面上的下表面凸起上下相对设置，粗化膜本体的中间并排设置有加强筋，加强筋A设置成“凹”字形，加强筋B设置成“凸”字形，加强筋A上的凹槽与加强筋B上的凸起相吻合。本实用新型在厚度不变的情况下增加了表面粗糙度，可保证绝缘油在各层粗化膜之间的顺畅流通，粗化膜中间的加强筋提高了粗化膜本身的承受力。
- 一种电子零件、积层陶瓷电容器及其制造方法-201110081167.1
- 徐孝华 - 徐孝华
- 2011-04-01 - 2014-05-14 - H01G4/06
- 本发明是具有内部电极层12以及介电体层10的电子零件的制造方法，系包括：形成含有导电体成分以及介电体成分的烧成前内部电极薄膜12a的制程、使烧成后成为介电体层10的生胚薄片10a与前述内部电极薄膜12a积层的制程、将前述生胚薄片10a与前述内部电极薄膜12a的积层体烧结的制程，提供：即使在内部电极层分别的厚度薄层化的情况，也可以抑制烧成阶段时的导电体粒子的粒成长，有效防止内部电极层的球状化，电极中断，可有效地抑制静电容量的低下的积层陶瓷电容器等的电子零件及其制造方法。
- 一种氮掺杂石墨烯/PVDF复合介电薄膜及其制备方法-201310481158.0
- 程继鹏;张孝彬;孙义质 - 张孝彬
- 2013-10-11 - 2014-01-08 - H01G4/06
- 本发明公开了一种氮掺杂石墨烯／PVDF复合介电薄膜及其制备方法，其特征在于：所述的氮掺杂石墨烯／PVDF复合介电薄膜(以下简称复合介电薄膜)是在石墨烯晶格中引入氮原子，得到氮掺杂石墨烯，所述的氮掺杂石墨烯与石墨烯具有迥异的结构和性质，本发明是通过调整氮掺杂量实现其在p型和n型半导体之间的转换来实现的，采用溶液浇铸法进行制备的，有益效果是：由于氮掺杂石墨烯具有高强度、高导电率、高比表面积，用其对聚合物材料进行改性可以得到高性能的聚合物基复合材料，所以氮掺杂石墨烯／PVDF复合介电薄膜具有高导电率、高强度、高热稳定性并具有一定的阻燃性。
- 一种静电电能储存装置-201220736201.4
- 白金;冯刚 - 白金;冯刚
- 2012-12-28 - 2013-08-21 - H01G4/06
- 本实用新型公开了一种静电电能储存装置，包括至少一个静电电能储存单元，每个静电电能储存单元设有五层结构，包括构成电容的两个金属薄膜电极与其内侧复合纳米绝缘薄膜层，以及复合纳米绝缘薄膜层之间的陶瓷纳米晶薄膜层。本实用新型依据静电平行板感应电容原理，利用具有纳米微结构的金属薄膜电极与其中间夹嵌的具有超高介电常数的陶瓷纳米晶薄膜层形成静电感应平板电容来储存静电能量的。
- 有机和有机金属高介电常数材料在改进的能量存储装置中的应用及相关方法-201180046216.6
- 约翰·詹姆斯·费尔腾;泽卡伊·法蒂;詹姆斯·艾略特·克莱顿;约瑟夫·H·西蒙斯 - 克林伏特能源有限公司
- 2011-07-21 - 2013-08-14 - H01G4/06
- 本发明提供了一种电介质材料。所述电介质材料包括基本连续相材料的至少一层。所述电介质材料从由有机物、有机物、有机金属单体或者它们结合的组中选择，其中所述的基本连续相材料具有离域电子。
- 一种具有较高绝缘特性的电容器-201320069507.3
- 李忍;刘云鹏;许自强;庞永超;许艳;周雪;何璇;黄沈海 - 华北电力大学（保定）
- 2013-02-06 - 2013-07-17 - H01G4/06
- 一种具有较高绝缘特性的电容器，构成中包括多个金属极板、多个电介质膜片和第一电极与第二电极，其中，多个金属极板与多个电介质膜片交替叠放在一起，所述第一电极与奇数层的金属极板电连接，第二电极与偶数层的金属极板电连接，所述电介质膜片为嵌入陶瓷绝缘子瓷体颗粒的聚合物薄膜片。本实用新型由于嵌入陶瓷绝缘子瓷体颗粒，既避免了资源的浪费，又减少了废旧陶瓷绝缘子对环境造成的污染，而且，由其制得的电容器具有较好的绝缘电气性能。
- 一种掺玻璃粉高储能密度的无铅铁电厚膜及制备方法-201210500897.5
- 郝喜红;张乐;刘云颖;刘昕;杨吉春 - 内蒙古科技大学
- 2012-11-30 - 2013-04-03 - H01G4/06
- 本发明属于电子材料与器件技术领域，涉及一种具有高储能密度的无铅铁电厚膜材料。本发明包括以下化学组分：按质量比：（Na0.5*（1+x）Bi0.5*(1+y)）TiO3：玻璃粉：粘结剂=1: 0.05~0.3：0.3~0.6，其中：0≤x≤0.05，0≤y≤0.1。本发明中的无铅铁电厚膜解决了铅制品在使用过程中造成的环境污染，并且通过掺杂玻璃粉使得储能密度进一步提高，可用来作为高功率大容量电容器开发和应用的关键部件。
- 专利分类
