[发明专利]半导体装置、管芯堆叠结构、封装结构及其制造方法有效
申请号: | 201711116065.2 | 申请日: | 2017-11-13 |
公开(公告)号: | CN108155153B | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | 余振华;陈明发;叶松峰 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/98 | 分类号: | H01L21/98;H01L25/065;H01L23/367 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 提供一种封装结构及其制造方法,其中提供用于散热的散热特征。散热特征包括形成在管芯堆叠中的导电通孔、热芯片及热金属主体,所述形成在管芯堆叠中的导电通孔、所述热芯片及所述热金属主体可结合到晶片级装置。包括芯片‑芯片、芯片‑晶片及晶片‑晶片的混合结合在不必穿越例如共晶材料等结合材料的情况下提供导热性。对封装结构进行等离子体切割可提供用于与热界面材料进行界接的平滑侧壁轮廓。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 管芯 堆叠 结构 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种封装结构的制造方法,其特征在于,包括:将多个第一管芯的第一表面结合到晶片,所述多个第一管芯中的每一者分别处于所述晶片的各自封装区域中;将第一间隙填充材料沉积到所述多个第一管芯之上;薄化所述多个第一管芯及所述第一间隙填充材料,从而在所述多个第一管芯的第二表面处暴露出导电穿孔;将多个第二管芯中的第二管芯结合到所述多个第一管芯中的每一者;将第二间隙填充材料沉积到所述多个第二管芯之上;薄化所述多个第二管芯及所述第二间隙填充材料,从而在所述多个第二管芯的第二表面处暴露出导电穿孔;以及将所述第一间隙填充材料及所述第二间隙填充材料单体化,所述单体化形成包括所述多个第一管芯中的第一管芯及所述多个第二管芯中的第二管芯的管芯堆叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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