[发明专利]非易失性存储器件

摘要

一种非易失性存储器件，该非易失性存储器件包括：在基板中形成并且沿着第一方向布置的多个阱区；包括形成在基板上方并且分别与多个阱区相对应的多个子块的存储块；以及设置在存储块上方并沿着第一方向延伸的多条位线。多个子块中的每个子块包括：在对应的阱区和多条位线之间沿着垂直方向形成的沟道层，以及沿沟道层堆叠在基板上方的多条字线、至少一条漏极选择线和至少一条防擦除线。在擦除操作中，擦除电压被施加到与所选子块对应的阱区，并且防擦除电压被施加到包括在未选子块中的防擦除线，可以防止将擦除电压传送到未选子块。

主权项

1.一种非易失性存储器件，该非易失性存储器件包括：多个阱区，所述多个阱区形成在基板中并且沿着第一方向布置；存储块，所述存储块包括形成在所述基板上方并且分别与所述多个阱区对应的多个子块；以及多条位线，所述多条位线设置在所述存储块上方并且沿着所述第一方向延伸，其中，所述多个子块中的每个子块包括：多个沟道层，所述多个沟道层在对应的阱区和所述多条位线之间沿着垂直方向形成；以及多条字线、至少一条漏极选择线和至少一条防擦除线，所述多条字线、所述至少一条漏极选择线和所述至少一条防擦除线沿所述沟道层堆叠在所述基板上方，其中，在擦除操作中，擦除电压被施加到与所选子块对应的阱区，并且防擦除电压被施加到包括在未选子块中的防擦除线。