[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201711103808.2 | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN108630697A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 姜秉佑 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11556 | 分类号： | H01L27/11556 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 半导体器件及其制造方法。本文提供了一种半导体器件。该半导体器件可以包括层叠体、穿过层叠体的沟道孔、穿过层叠体且设置在沟道孔之间的虚拟沟道孔、和穿过层叠体和虚拟沟道孔的狭缝。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 层叠体 沟道 穿过 虚拟 狭缝 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，该半导体器件包括：层叠体；沟道孔，所述沟道孔穿过所述层叠体；虚拟沟道孔，所述虚拟沟道孔穿过所述层叠体并设置在所述沟道孔之间；狭缝，所述狭缝穿过所述层叠体并与所述虚拟沟道孔交叠以将所述虚拟沟道孔与所述狭缝一体联接；沟道层，所述沟道层形成在所述沟道孔中；以及虚拟沟道层，所述虚拟沟道层包括形成在所述虚拟沟道孔中的第一半导体图案以及形成在所述狭缝中并将所述第一半导体图案彼此联接的第二半导体图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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