[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，该半导体器件包括：

层叠体；

沟道孔，所述沟道孔穿过所述层叠体；

虚拟沟道孔，所述虚拟沟道孔穿过所述层叠体并设置在所述沟道孔之间；

狭缝，所述狭缝穿过所述层叠体并与所述虚拟沟道孔交叠以将所述虚拟沟道孔与所述狭缝一体联接；

沟道层，所述沟道层形成在所述沟道孔中；以及

虚拟沟道层，所述虚拟沟道层包括形成在所述虚拟沟道孔中的第一半导体图案以及形成在所述狭缝中并将所述第一半导体图案彼此联接的第二半导体图案。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述沟道孔包括围绕相应沟道层的存储层，并且

其中，所述虚拟沟道孔和所述狭缝包括围绕相应虚拟沟道层的虚拟存储层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述层叠体包括层叠的字线和设置在所述字线上方的选择线，并且所述狭缝具有使所述选择线通过所述狭缝而彼此分离的深度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述虚拟沟道孔具有第一宽度，并且所述狭缝具有第二宽度，并且

其中，所述第二宽度小于所述第一宽度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，该半导体器件还包括：

间隙填充绝缘层，所述间隙填充绝缘层形成在相应沟道层中；以及

虚拟间隙填充绝缘层，所述虚拟间隙填充绝缘层形成在所述虚拟沟道层的相应第一半导体图案中。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，该半导体器件还包括：

间隙填充绝缘层，所述间隙填充绝缘层形成在相应沟道层中；

第一虚拟间隙填充绝缘图案，所述第一虚拟间隙填充绝缘图案形成在所述虚拟沟道层的相应第一半导体图案中；以及

第二虚拟间隙填充绝缘图案，所述第二虚拟间隙填充绝缘图案形成在所述虚拟沟道层的相应第二半导体图案中，并且将所述第一虚拟间隙填充绝缘图案彼此联接。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体图案和所述第二半导体图案包括半导体材料。

8.一种半导体器件，该半导体器件包括：

层叠体；

沟道层，所述沟道层穿过所述层叠体到第一深度；以及

虚拟沟道层，所述虚拟沟道层包括穿过所述层叠体到第一深度的第一半导体图案和穿过所述层叠体到小于所述第一深度的第二深度并且将所述第一半导体图案彼此联接的第二半导体图案。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，该半导体器件还包括：

存储层，所述存储层围绕所述沟道层；

虚拟存储层，所述虚拟存储层围绕所述虚拟沟道层；

间隙填充绝缘层，所述间隙填充绝缘层形成在所述沟道层中；以及

虚拟间隙填充绝缘层，所述虚拟间隙填充绝缘层形成在所述虚拟沟道层的相应第一半导体图案中。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，该半导体器件还包括：

存储层，所述存储层围绕所述沟道层；

虚拟存储层，所述虚拟存储层围绕所述虚拟沟道层；

间隙填充绝缘层，所述间隙填充绝缘层形成在所述沟道层中；

第一虚拟间隙填充绝缘图案，所述第一虚拟间隙填充绝缘图案形成在所述虚拟沟道层的相应第一半导体图案中；以及

第二虚拟间隙填充绝缘图案，所述第二虚拟间隙填充绝缘图案形成在所述虚拟沟道层的相应第二半导体图案中并将所述第一虚拟间隙填充绝缘图案彼此联接。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，该半导体器件还包括：

存储层，所述存储层围绕所述沟道层；

虚拟存储层，所述虚拟存储层围绕所述虚拟沟道层。