[发明专利]半导体元件有效
| 申请号： | 201711103021.6 | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN108878542B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 韦维克;陈柏安;苏柏拉曼亚·加亚谢拉拉欧 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L27/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 贾磊;王涛 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件，包括基底、隔离结构、二极管元件以及第一金属层。隔离结构位于基底中。二极管元件位于隔离结构上，其中二极管元件包括P型掺杂区、N型掺杂区与本征区，且本征区位于P型掺杂区与N型掺杂区之间。位于二极管元件两端的P型掺杂区与N型掺杂区各自形成欧姆接触。第一金属层与二极管元件的本征区电连接并形成萧特基接触以构成至少一萧特基二极管。本发明能够有效地提升元件效能、缩小元件尺寸并节省成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其特征在于，包括：一基底；一隔离结构，位于该基底中；一二极管元件，位于该隔离结构上，其中该二极管元件包括一P型掺杂区、一N型掺杂区与一本征区，该本征区位于该P型掺杂区与该N型掺杂区之间，且位于该二极管元件两端的该P型掺杂区与该N型掺杂区各自形成欧姆接触；以及一第一金属层，与该二极管元件的该本征区电连接形成萧特基接触以构成至少一萧特基二极管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新唐科技股份有限公司，未经新唐科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711103021.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：鳍片式二极管及其制造方法
- 下一篇：电容及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
