[发明专利]半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，包括：

一基底；

一隔离结构，位于该基底中；

一二极管元件，位于该隔离结构上，其中该二极管元件包括一P型掺杂区、一N型掺杂区与一本征区，该本征区位于该P型掺杂区与该N型掺杂区之间，且位于该二极管元件两端的该P型掺杂区与该N型掺杂区各自形成欧姆接触；以及

一第一金属层，与该二极管元件的该本征区电连接形成萧特基接触以构成至少一萧特基二极管；

一晶体管，位于一主动区中，该隔离结构定义出该主动区，且该晶体管包括一栅极、一第一掺杂区与一第二掺杂区，其中该栅极位于该基底上，且该第一掺杂区与该第二掺杂区分别位于该栅极的两侧的该基底中。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该二极管元件的该本征区包括一主体部分以及与该主体部分连接的至少一凸出部分，该凸出部分延伸至该P型掺杂区中，且该第一金属层与该本征区的该凸出部分及该P型掺杂区电连接以构成该萧特基二极管。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该二极管元件的该P型掺杂区邻近于该第一掺杂区与该第二掺杂区中的一个设置，该N型掺杂区邻近于该第一掺杂区与该第二掺杂区中的另一个设置。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该隔离结构位于该第二掺杂区与该栅极之间，且该二极管元件位于该第二掺杂区与该栅极之间的该隔离结构上。

5.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该第一金属层与该第一掺杂区以及该第二掺杂区中的一个电连接。

6.如权利要求5所述的半导体元件，其特征在于，更包括一第二金属层，其中该第二金属层与该第一掺杂区以及该第二掺杂区中的另一个电连接，且与该N型掺杂区电连接。

7.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该二极管元件是设置在该隔离结构上，且该P型掺杂区、该N型掺杂区以及该本征区分别与该隔离结构接触。