[发明专利]一种改善闪存单元的工艺集成方法

摘要

本发明提出一种改善闪存单元的工艺集成方法，包括：器件离子注入形成衬底结构；依次沉积闪存氧化层、浮栅多晶硅层和氮化硅层；形成浅沟槽隔离结构并在其中沉积氧化硅层；进行预清洗处理，刻蚀去除部分氮化硅层以及浅沟槽隔离结构中的部分氧化硅层，露出浮栅多晶硅尖角；氧化露出的浮栅多晶硅尖角，使尖角处圆滑；进行刻蚀处理，去除浅沟槽隔离结构中的部分氧化硅层，同时去除用于浮栅多晶硅尖角圆化的氧化硅；刻蚀去除所述氮化硅层直至露出所述浮栅多晶硅层。本发明利用增加的氧化硅将浮栅极的尖角提前圆弧化，同时实现浮栅极尖角的圆弧化和闪存单元浮栅极顶部未受损伤的闪存单元，从而为继续缩减的闪存单元提供了另一种优化的方法。

主权项

一种改善闪存单元的工艺集成方法，其特征在于，包括下列步骤：器件离子注入形成衬底结构；在上述结构上依次沉积闪存氧化层、浮栅多晶硅层和氮化硅层；在上述结构上形成浅沟槽隔离结构并在其中沉积氧化硅层；对上述结构进行预清洗处理，刻蚀去除部分氮化硅层以及浅沟槽隔离结构中的部分氧化硅层，露出浮栅多晶硅尖角；氧化露出的浮栅多晶硅尖角，使尖角处圆滑；对上述结构进行刻蚀处理，去除浅沟槽隔离结构中的部分氧化硅层，同时去除用于浮栅多晶硅尖角圆化的氧化硅；刻蚀去除所述氮化硅层直至露出所述浮栅多晶硅层。