[发明专利]一种改善闪存单元的工艺集成方法

权利要求书

1.一种改善闪存单元的工艺集成方法，其特征在于，包括下列步骤：

器件离子注入形成衬底结构；

在上述结构上依次沉积闪存氧化层、浮栅多晶硅层和氮化硅层；

在上述结构上形成浅沟槽隔离结构并在其中沉积氧化硅层；

对上述结构进行预清洗处理，刻蚀去除部分氮化硅层以及浅沟槽隔离结构中的部分氧化硅层，露出浮栅多晶硅尖角，在刻蚀过程中避免浮栅多晶硅受损；

氧化露出的浮栅多晶硅尖角，使尖角处圆滑，所述预清洗处理中刻蚀去除部分氮化硅层的宽度为预先设定，用于控制浮栅多晶硅尖角圆化的区域，避免过量圆化；

对上述结构进行刻蚀处理，去除浅沟槽隔离结构中的部分氧化硅层，同时去除用于浮栅多晶硅尖角圆化的氧化硅；

刻蚀去除所述氮化硅层直至露出所述浮栅多晶硅层。

2.根据权利要求1所述的改善闪存单元的工艺集成方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构中的氧化硅层刻蚀采用各向同性的湿法刻蚀。

3.根据权利要求1所述的改善闪存单元的工艺集成方法，其特征在于，所述氮化硅层刻蚀采用干法刻蚀。

4.根据权利要求1所述的改善闪存单元的工艺集成方法，其特征在于，所述预清洗处理采用氢氟酸溶液。

5.根据权利要求1所述的改善闪存单元的工艺集成方法，其特征在于，所述闪存单元为45纳米闪存单元。