[发明专利]智能型的缺陷校正系统与其实施方法

摘要

本发明提供一种智能型的半导体缺陷校正的系统与其实施方法，其方法包括：接收制造工厂送出的多个缺陷数据，接收一集成电路设计公司的IC设计布局图数据，并对多个缺陷数据进行缺陷坐标转换校正及缺陷影像校正后，用关键区域分析来分析校正后的缺陷数据及设计布局图形，用以提升关键区域分析的准确度和藉以精准判断各个缺陷影像造成断路或短路型失败的致命缺陷指数；再根据致命缺陷指数及缺陷讯号参数，区分致命缺陷为高风险缺陷、中风险缺陷及低风险缺陷等，达成提升智能型的缺陷校正系统与其实施方法准确度和精准判别致命缺陷之目的。

主权项

1.一种藉由数据处理中心与存储装置来执行智能型半导体晶圆缺陷校正的方法，其特征在于：提供一集成电路设计布局图档案，并储存于所述存储装置中，所述集成电路设计布局图档案中配置复数条线路；执行一晶圆制造程序，是于一半导体厂根据所述集成电路设计布局图档案将所述复数条线路形成在所述晶圆上；执行一晶圆缺陷扫描，是通过缺陷检测机台扫描所述晶圆以取得缺陷扫描数据，并将所述些缺陷扫描数据经过所述数据处理中心处理成一缺陷文字及影像数据文件后，储存于所述存储装置中，其中，所述缺陷文字及影像数据文件包含所述晶圆上的多个缺陷数据，而每一个缺陷数据至少包括一缺陷坐标、一缺陷尺寸、缺陷面积及缺陷影像图案的强度值；取得所述集成电路设计布局图档案，是由所述数据处理中心取得所述集成电路设计布局图档案，且所述数据处理中心辨识出每一条线路相对一坐标的位置、线路宽度及线路间的距离；执行第一重迭程序，是由所述数据处理中心自所述缺陷影像及文字数据文件中，逐一撷取缺陷影像图案的缺陷坐标、缺陷尺寸与缺陷面积，并根据所述缺陷坐标将所述缺陷尺寸与所述缺陷面积重迭至所述集成电路设计布局图案的一相对坐标上；执行第一关键区域分析，是由所述数据处理中心根据所述缺陷尺寸与所述缺陷面积重迭在所述集成电路设计布局图案上，使用关键区域分析方法得到各个缺陷在坐标偏差范围区域内的设计布局图案之关键区域，判断出一致命缺陷指数值，其中，所述致命缺陷指数值区分多个不同大小的数值；执行一校正程序，包括:选择至少一个所述致命缺陷指数值；提供一SEM扫描机台，并对被选择的所述致命缺陷指数值所在的每一个缺陷位置重新扫描，以获得一精准的缺陷尺寸及缺陷面积，并储存至所述存储装置中；判断所述些精准的缺陷尺寸及缺陷面积是否为断路型或是短路型的系统性致命缺陷。