[发明专利]一种IGBT模块在审
| 申请号： | 201711079103.1 | 申请日： | 2017-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN107871734A | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 车湖深;李彦莹;于今 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/538 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 401331 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种功率半导体器件，尤其涉及一种IGBT模块。IGBT模块包括；陶瓷覆铜板，陶瓷覆铜板的铜层上蚀刻有电路；第一区域，设置一第一类晶体管芯片和一第二类晶体管芯片，第一类晶体管芯片一侧设置一第一功率端子，第二类晶体管芯片一侧设置一第二功率端子，第一功率端子与第二功率端子位于第一类晶体管芯片两侧；第二区域，设置有第一类晶体管芯片和第二类晶体管芯片，第一类晶体管芯片一侧设置一第三功率端子和一第一信号端子，另一侧设置一第二信号端子。本发明提供了一种IGBT模块通过改变内部结构可降低IGBT回路中的寄生电感和IGBT栅极驱动的寄生电感，避免采用引线，使IGBT栅极寄生电感可控，同时简化封装流程，提高封装效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 模块 | ||
【主权项】：
一种IGBT模块，其特征在于：包括：陶瓷覆铜板，所述陶瓷覆铜板的铜层上蚀刻有电路；第一区域，设置一第一类晶体管芯片和一第二类晶体管芯片，所述第一类晶体管芯片一侧设置一第一功率端子，所述第二类晶体管芯片一侧设置一第二功率端子，且所述第一功率端子与所述第二功率端子位于所述第一类晶体管芯片两侧；第二区域，设置有所述第一类晶体管芯片和所述第二类晶体管芯片，所述第一类晶体管芯片一侧设置一第三功率端子和一第一信号端子，所述第一类晶体管芯片的另一侧设置一第二信号端子；所述第一区域，的所述第一类晶体管芯片和所述第二类晶体管芯片分别与所述第一区域的所述陶瓷覆铜板连接，所述第一功率端子与所述第一区域的所述陶瓷覆铜板连接，所述第二功率端子与所述第二区域的所述陶瓷覆铜板连接；所述第二区域，的所述第一类晶体管芯片与所述第二类晶体管芯片连接，所述第二类晶体管芯片与所述第一区域的所述陶瓷覆铜板连接，所述第三功率端子与所述第二区域的所述陶瓷覆铜板连接。
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