[发明专利]一种IGBT模块

权利要求书

1.一种IGBT模块，其特征在于：包括：

陶瓷覆铜板，所述陶瓷覆铜板的铜层上蚀刻有电路；

第一区域，设置一第一类晶体管芯片和一第二类晶体管芯片，所述第一类晶体管芯片一侧设置一第一功率端子，所述第二类晶体管芯片一侧设置一第二功率端子，且所述第一功率端子与所述第二功率端子位于所述第一类晶体管芯片两侧；

第二区域，设置有所述第一类晶体管芯片和所述第二类晶体管芯片，所述第一类晶体管芯片一侧设置一第三功率端子和一第一信号端子，所述第一类晶体管芯片的另一侧设置一第二信号端子；

所述第一区域，的所述第一类晶体管芯片和所述第二类晶体管芯片分别与所述第一区域的所述陶瓷覆铜板连接，所述第一功率端子与所述第一区域的所述陶瓷覆铜板连接，所述第二功率端子与所述第二区域的所述陶瓷覆铜板连接；

所述第二区域，的所述第一类晶体管芯片与所述第二类晶体管芯片连接，所述第二类晶体管芯片与所述第一区域的所述陶瓷覆铜板连接，所述第三功率端子与所述第二区域的所述陶瓷覆铜板连接。

2.根据权利要求1所述的IGBT模块，其特征在于：所述第一类晶体管芯片和所述第二类晶体管芯片通过焊料固定在所述陶瓷覆铜板的铜层上。

3.根据权利要求1所述的IGBT模块，其特征在于：所述第一功率端子、所述第二功率端子、所述第三功率端子、所述第一信号端子和所述第二信号端子通过焊料固定在所述陶瓷覆铜板的铜层上。

4.根据权利要求1所述的IGBT模块，其特征在于：所述第一类晶体管芯片、所述第二类晶体管芯片和所述陶瓷覆铜板之间通过铝丝进行连接。

5.根据权利要求1所述的IGBT模块，其特征在于：所述第一类晶体管芯片为绝缘栅双极型晶体管芯片。

6.根据权利要求1所述的IGBT模块，其特征在于：所述第二类晶体管芯片为快恢复二极管芯片。

7.根据权利要求1所述的IGBT模块，其特征在于：所述绝缘栅双极型晶体管模块还包括：

铜底板，为长方形结构，所述铜底板的两端上设置有两个大小相等的安装孔；

外壳，环绕所述铜底板的边缘设置，所述外壳在所述功率端子的垂直上方设置有端口。

8.根据权利要求7所述的IGBT模块，其特征在于：所述陶瓷覆铜板通过焊料固定在所述铜底板上。

9.根据权利要求7所述的IGBT模块，其特征在于：所述壳体内部通过硅胶进行灌封。

10.根据权利要求1所述的IGBT模块，其特征在于：所述第一信号端子和所述第二信号端子处分别设置一支撑架从所述壳体引出。