[发明专利]一种IGBT模块

说明书

技术领域

本发明涉及一种功率半导体器件，尤其涉及一种IGBT模块。

背景技术

随着电力电子技术越来越广泛地应用于电力系统等高压大功率应用场合，电子变流装置在工作过程中所处理的电压与电流等级急剧上升，大功率变流器对半导体开关器件的功率等级要求越来越高。绝缘栅双极型晶体管作为一种新型的全控型器件，具有优于其他电力电子器件的特性，IGBT功率模块广泛应用于电力电子变流装置中。

中小功率领域常常采用半桥IGBT模块实现电路功能。IGBT模块由内部的IGBT芯片、FRD芯片和结构件组成，由于内部电路结构的设计差异，不同的封装结构常常会引入不同程度的寄生电感，造成在测试和应用过程中电路工作的不可控因素，当封装引起的寄生电感增加的芯片的电压应力无法被IGBT芯片承受，则会引起应用端的高比例失效。目前的IGBT模块，如图1所示，结构复杂，需要多条引线连接，并且内部结构会引起寄生电感，影响IGBT模块的使用效果。

发明内容

针对现有技术存在的问题，本发明提供了一种IGBT模块，通过改变IGBT模块的封装结构，降低IGBT模块的寄生电感，避免采用引线，简化封装流程，提高封装效率。

本发明采用如下技术方案：

一种IGBT模块包括：

陶瓷覆铜板，所述陶瓷覆铜板的铜层上蚀刻有电路；

第一区域，设置一第一类晶体管芯片和一第二类晶体管芯片，所述第一类晶体管芯片一侧设置一第一功率端子，所述第二类晶体管芯片一侧设置一第二功率端子，且所述第一功率端子与所述第二功率端子位于所述第一类晶体管芯片两侧；

第二区域，设置有所述第一类晶体管芯片和所述第二类晶体管芯片，所述第一类晶体管芯片一侧设置一第三功率端子和一第一信号端子，所述第一类晶体管芯片的另一侧设置一第二信号端子；

所述第一区域，的所述第一类晶体管芯片和所述第二类晶体管芯片分别与所述第一区域的所述陶瓷覆铜板连接，所述第一功率端子与所述第一区域的所述陶瓷覆铜板连接，所述第二功率端子与所述第二区域的所述陶瓷覆铜板连接；

所述第二区域，的所述第一类晶体管芯片与所述第二类晶体管芯片连接，所述第二类晶体管芯片与所述第一区域的所述陶瓷覆铜板连接，所述第三功率端子与所述第二区域的所述陶瓷覆铜板连接；

所述第一类晶体管芯片和所述第二类晶体管芯片通过焊料固定在所述陶瓷覆铜板的铜层上。

所述第一功率端子、所述第二功率端子、所述第三功率端子、所述第一信号端子和所述第二信号端子通过焊料固定在所述陶瓷覆铜板的铜层上。

所述第一类晶体管芯片、所述第二类晶体管芯片和所述陶瓷覆铜板之间通过铝丝进行连接。

所述第一类晶体管芯片为绝缘栅双极型晶体管芯片。

所述第二类晶体管芯片为快恢复二极管芯片。

所述绝缘栅双极型晶体管模块还包括：

铜底板，为长方形结构，所述铜底板的两端上设置有两个大小相等的安装孔；

外壳，环绕所述铜底板的边缘设置，所述外壳在所述功率端子的垂直上方设置有端口。

所述陶瓷覆铜板通过焊料固定在所述铜底板上。

所述壳体内部通过硅胶进行灌封。

所述第一信号端子和所述第二信号端子处分别设置一支撑架从所述壳体引出。

本发明的有益效果如下：

本发明提供了一种IGBT模块通过改变内部结构可降低IGBT回路中的寄生电感和IGBT栅极驱动的寄生电感，避免采用引线，使IGBT栅极寄生电感可控，同时简化封装流程，提高封装效率。

附图说明

图1是现有技术中IGBT模块的结构示意图；

图2是本发明一种新型IGBT模块的平面结构图；

图3是本发明一种新型IGBT模块的侧视图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。

如图2所示，一种IGBT模块包括：