[发明专利]缺陷检测方法在审
| 申请号： | 201711065125.2 | 申请日： | 2017-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN107863303A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 许平康;方桂芹;黄仁德 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 徐文欣,吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种缺陷检测方法，包括获取所述第一缺陷的第一缺陷位置；获取所述第二缺陷的第二缺陷位置；在第一拍摄位置处对第一缺陷进行拍摄处理，获取第一图像，所述第一图像中具有第一缺陷图像位置，所述第一缺陷图像位置对应于所述第一缺陷的中心；根据第一缺陷图像位置和第一偏移矢量获取第二偏移矢量；通过所述第二偏移矢量对所述第二缺陷位置进行补偿，获取第二拍摄位置，自第二缺陷位置指向所述第二拍摄位置的矢量等于所述第二偏移矢量；在所述第二拍摄位置处对所述第二缺陷进行拍摄处理，获取第二图像。所述缺陷检测方法能够增加所述第二拍摄位置的精度，从而能够使第二图像中具有所述第二缺陷的图像，进而能够提高缺陷捕捉成功率。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种缺陷检测方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆包括检测面，所述检测面具有多个缺陷，所述多个缺陷中包括相邻的第一缺陷和第二缺陷；获取所述第一缺陷的第一缺陷位置；获取所述第二缺陷的第二缺陷位置；对所述检测面进行校准，获取第一偏移矢量；根据所述第一偏移矢量对第一缺陷位置进行补偿，获取第一拍摄位置，自第一缺陷位置指向所述第一拍摄位置的矢量等于所述第一偏移矢量；在所述第一拍摄位置处对第一缺陷进行拍摄处理，获取第一图像，所述第一图像中具有第一缺陷图像位置，所述第一缺陷图像位置对应于所述第一缺陷的中心；根据所述第一缺陷图像位置和第一偏移矢量获取第二偏移矢量；通过所述第二偏移矢量对所述第二缺陷位置进行补偿，获取第二拍摄位置，自第二缺陷位置指向所述第二拍摄位置的矢量等于所述第二偏移矢量；在所述第二拍摄位置处对所述第二缺陷进行拍摄处理，获取第二图像。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
