[发明专利]缺陷检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种缺陷检测方法。

背景技术

在制造晶圆的过程中，由于制造过程中难免使晶圆表面产生大量缺陷。为了保证晶圆的质量，需要对晶圆表面的缺陷进行检测。

现有的缺陷检测方法包括：提供晶圆，所述晶圆包括检测面，所述检测面具有多个缺陷；通过缺陷检验机台对检测面进行扫描，获取检测面各个缺陷的位置坐标；根据各缺陷的位置坐标，通过扫描电镜(SEM)分别对各缺陷进行拍摄处理，获取各缺陷的图像。扫描电镜是一种检测晶圆表面缺陷的机台，具有很高的图像的分辨率，能够清晰反映缺陷的形貌。

然而，现有的缺陷检测方法的缺陷捕捉成功率较低，导致检测的产出率较低。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种缺陷检测方法，能够提高缺陷捕捉成功率，提高检测的产出率。

为解决上述问题，本发明提供一种缺陷检测方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括检测面，所述检测面具有多个缺陷，所述多个缺陷中包括相邻的第一缺陷和第二缺陷；获取所述第一缺陷的第一缺陷位置；获取所述第二缺陷的第二缺陷位置；对所述检测面进行校准，获取第一偏移矢量；根据所述第一偏移矢量对第一缺陷位置进行补偿，获取第一拍摄位置，自第一缺陷位置指向所述第一拍摄位置的矢量等于所述第一偏移矢量；在所述第一拍摄位置处对第一缺陷进行拍摄处理，获取第一图像，所述第一图像中具有第一缺陷图像位置，所述第一缺陷图像位置对应于所述第一缺陷的中心；根据所述第一缺陷图像位置和第一偏移矢量获取第二偏移矢量；通过所述第二偏移矢量对所述第二缺陷位置进行补偿，获取第二拍摄位置，自第二缺陷位置指向所述第二拍摄位置的矢量等于所述第二偏移矢量；在所述第二拍摄位置处对所述第二缺陷进行拍摄处理，获取第二图像。

可选的，所述校准的步骤包括：以所述检测面中心为对准中心，对所述检测面进行拍摄处理，获取第一测试图像，所述第一测试图像中具有中心图像位置，所述中心图像位置与检测面的中心对应；测量自所述第一测试图像中心指向所述中心图像位置的矢量，获取所述第一偏移矢量。

可选的，通过扫描电镜对所述第一缺陷进行拍摄处理；根据所述第一拍摄位置对所述第一缺陷进行拍摄处理的步骤包括：使所述扫描电镜的视野中心对准所述检测面的第一拍摄位置后，对所述第一缺陷进行拍摄处理；通过扫描电镜对所述第二缺陷进行拍摄处理；根据所述第二拍摄位置对所述第二缺陷进行拍摄处理的步骤包括：使所述扫描电镜的视野中心对准所述检测面的第二拍摄位置后，对所述第二缺陷进行拍摄处理。

可选的，获取第二偏移矢量的步骤包括：获取自所述第一图像中心指向所述第一缺陷图像位置的第一位移；获取所述第一位移与所述第一偏移矢量之和。

可选的，获取所述第一缺陷位置和第二缺陷位置的步骤包括：通过缺陷检验机台对所述检测面进行扫描，获取所述第一缺陷位置和第二缺陷位置。

可选的，所述缺陷的个数大于3；所述第一缺陷和第二缺陷以外的缺陷为第三缺陷；所述检测面包括参考区域，所述参考区域为圆形，所述第三缺陷中心与所述参考区域中心重合；所述参考区域中经过所述拍摄处理的缺陷为参考缺陷，通过所述参考缺陷获取的图像为参考图像，对所述参考缺陷进行拍摄处理的位置为参考拍摄位置；所述缺陷检测方法还包括：获取所述第三缺陷的第三缺陷位置；根据所述参考图像和参考拍摄位置获取所述参考缺陷的参考偏移矢量；对所述参考偏移矢量进行平均化处理，获取第三偏移矢量；根据所述第三偏移矢量对第三缺陷位置进行补偿，获取第三拍摄位置，自所述第三缺陷位置指向所述第三拍摄位置的矢量等于所述第三偏移矢量；在所述第三拍摄位置处对所述第三缺陷进行拍摄处理，获取第三图像。

可选的，所述参考图像中对应于所述参考缺陷的位置为第二图像缺陷位置；获取所述参考偏移矢量的步骤包括：获取自所述第三缺陷位置指向所述参考拍摄位置的第二位移；获取自所述参考图像中心指向所述第二图像缺陷位置的第三位移；获取所述第二位移与第三位移之和。

可选的，所述第三缺陷的个数为多个；所述缺陷检测方法还包括：重复获取第三缺陷位置至对所述第三缺陷进行拍摄处理的步骤。

可选的，所述参考缺陷的个数为一个，所述第三偏移矢量等于所述参考偏移矢量。