[发明专利]缺陷检测方法在审
申请号: | 201711065125.2 | 申请日: | 2017-11-02 |
公开(公告)号: | CN107863303A | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | 许平康;方桂芹;黄仁德 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 徐文欣,吴敏 |
地址: | 223302 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 缺陷 检测 方法 | ||
1.一种缺陷检测方法,其特征在于,包括:
提供晶圆,所述晶圆包括检测面,所述检测面具有多个缺陷,所述多个缺陷中包括相邻的第一缺陷和第二缺陷;
获取所述第一缺陷的第一缺陷位置;
获取所述第二缺陷的第二缺陷位置;
对所述检测面进行校准,获取第一偏移矢量;
根据所述第一偏移矢量对第一缺陷位置进行补偿,获取第一拍摄位置,自第一缺陷位置指向所述第一拍摄位置的矢量等于所述第一偏移矢量;
在所述第一拍摄位置处对第一缺陷进行拍摄处理,获取第一图像,所述第一图像中具有第一缺陷图像位置,所述第一缺陷图像位置对应于所述第一缺陷的中心;
根据所述第一缺陷图像位置和第一偏移矢量获取第二偏移矢量;
通过所述第二偏移矢量对所述第二缺陷位置进行补偿,获取第二拍摄位置,自第二缺陷位置指向所述第二拍摄位置的矢量等于所述第二偏移矢量;
在所述第二拍摄位置处对所述第二缺陷进行拍摄处理,获取第二图像。
2.如权利要求1所述的缺陷检测方法,其特征在于,所述校准的步骤包括:以所述检测面中心为对准中心,对所述检测面进行拍摄处理,获取第一测试图像,所述第一测试图像中具有中心图像位置,所述中心图像位置与检测面的中心对应;测量自所述第一测试图像中心指向所述中心图像位置的矢量,获取所述第一偏移矢量。
3.如权利要求1所述的缺陷检测方法,其特征在于,通过扫描电镜对所述第一缺陷进行拍摄处理;根据所述第一拍摄位置对所述第一缺陷进行拍摄处理的步骤包括:使所述扫描电镜的视野中心对准所述检测面的第一拍摄位置后,对所述第一缺陷进行拍摄处理;
通过扫描电镜对所述第二缺陷进行拍摄处理;根据所述第二拍摄位置对所述第二缺陷进行拍摄处理的步骤包括:使所述扫描电镜的视野中心对准所述检测面的第二拍摄位置后,对所述第二缺陷进行拍摄处理。
4.如权利要求1所述的缺陷检测方法,其特征在于,获取第二偏移矢量的步骤包括:获取自所述第一图像中心指向所述第一缺陷图像位置的第一位移;获取所述第一位移与所述第一偏移矢量之和。
5.如权利要求1所述的缺陷检测方法,其特征在于,获取所述第一缺陷位置和第二缺陷位置的步骤包括:通过缺陷检验机台对所述检测面进行扫描,获取所述第一缺陷位置和第二缺陷位置。
6.如权利要求1所述的缺陷检测方法,其特征在于,所述缺陷的个数大于3;所述第一缺陷和第二缺陷以外的缺陷为第三缺陷;所述检测面包括参考区域,所述参考区域为圆形,所述第三缺陷中心与所述参考区域中心重合;所述参考区域中经过所述拍摄处理的缺陷为参考缺陷,通过所述参考缺陷获取的图像为参考图像,对所述参考缺陷进行拍摄处理的位置为参考拍摄位置;
所述缺陷检测方法还包括:获取所述第三缺陷的第三缺陷位置;根据所述参考图像和参考拍摄位置获取所述参考缺陷的参考偏移矢量;对所述参考偏移矢量进行平均化处理,获取第三偏移矢量;根据所述第三偏移矢量对第三缺陷位置进行补偿,获取第三拍摄位置,自所述第三缺陷位置指向所述第三拍摄位置的矢量等于所述第三偏移矢量;在所述第三拍摄位置处对所述第三缺陷进行拍摄处理,获取第三图像。
7.如权利要求6所述的缺陷检测方法,其特征在于,所述参考图像中对应于所述参考缺陷的位置为第二图像缺陷位置;获取所述参考偏移矢量的步骤包括:获取自所述第三缺陷位置指向所述参考拍摄位置的第二位移;获取自所述参考图像中心指向所述第二图像缺陷位置的第三位移;获取所述第二位移与第三位移之和。
8.如权利要求6所述的缺陷检测方法,其特征在于,所述第三缺陷的个数为多个;所述缺陷检测方法还包括:重复获取第三缺陷位置至对所述第三缺陷进行拍摄处理的步骤。
9.如权利要求6所述的缺陷检测方法,其特征在于,所述参考缺陷的个数为一个,所述第三偏移矢量等于所述参考偏移矢量。
10.如权利要求6所述的缺陷检测方法,其特征在于,所述参考缺陷的个数为多个;各参考偏移矢量包括:参考偏移矢量沿第一方向的第一分量,所述第一方向平行于所述检测面;参考偏移矢量沿第二方向的第二分量,所述第二方向平行于所述检测面,且所述第二方向垂直于所述第一方向;
所述第三偏移矢量包括:第三偏移矢量沿所述第一方向的第三分量;第三偏移矢量沿所述第二方向的第四分量;
对所述参考偏移矢量进行平均化处理的步骤包括:获取多个第一分量的平均值,得到第三分量;获取多个第二分量的平均值,得到所述第四分量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造