[发明专利]半导体器件的处理装置和形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201711044112.7 | 申请日： | 2017-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN108122811B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 庄孟哲;官琬纯;邱意为;翁子展 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 诸如蚀刻腔室门之类的腔室门可以在蚀刻工艺期间被加热，以例如防止蚀刻副产物粘附至蚀刻腔室门。然而，蚀刻腔室门的这种加热可能影响工艺参数并导致不均匀工艺，诸如整个半导体晶圆的不均匀蚀刻特性。诸如覆盖受到加热的门的表面的绝缘膜的绝缘体可以减少或消除热从门至诸如半导体晶圆的工件的传输，因此这减少或消除了工艺结果的不均匀性。本发明的实施例提供了一种半导体装置以及形成该装置的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 处理 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：腔室，由腔室壁限定；晶圆保持台，位于所述腔室内；门，位于所述腔室壁中，所述门被配置为提供至所述腔室的通路；加热器，热耦合至所述门并且被配置为将所述门加热至预定温度；以及隔热罩，邻近所述门，所述隔热罩被配置为减少从所述门至所述晶圆保持台的热传输。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
