[发明专利]半导体器件的处理装置和形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件的处理装置，包括：

腔室，由腔室壁限定；

晶圆保持台，位于所述腔室内；

门，位于所述腔室壁中，所述门被配置为提供至所述腔室的通路；

加热器，热耦合至所述门并且被配置为将所述门加热至预定温度；以及

隔热罩，邻近所述门，所述隔热罩被配置为减少从所述门至所述晶圆保持台的热传输，其中，所述隔热罩包括热绝缘膜和将所述热绝缘膜固定到所述门的刚性板，所述热绝缘膜设置在所述门和所述刚性板之间，其中所述刚性板具有第一表面和第二表面，所述第一表面接触所述热绝缘膜，所述第二表面暴露于所述腔室并且没有所述热绝缘膜，

所述门包括主体结构、附接区域和铰链，所述附接区域连接至所述腔室壁，所述主体结构通过所述铰链连接至所述附接区域，所述铰链允许所述主体结构围绕所述附接区域旋转，加热器设置在所述门的附接区域中，

所述加热器通过将来自加热器的热传导经过铰链直至所述主体结构，从而向所述门提供热，

其中，所述门的主体结构具有面向所述腔室的第一面和背离所述腔室的第二面，其中，所述门的所述主体结构的所述第一面具有中心部分和外周，所述外周围绕所述中心部分，其中，所述隔热罩覆盖所述中心部分，并且其中，所述隔热罩没有覆盖所述腔室壁、所述附接区域、和所述外周。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的处理装置，其中，所述门包括铝。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的处理装置，其中，所述刚性板和所述门具有发射率为0.02至0.1的材料。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的处理装置，其中，所述门和与所述门相邻的所述隔热罩是一体的单元。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的处理装置，其中，所述装置还包括由第二腔室壁限定的第二腔室，第二晶圆保持台位于所述第二腔室内，并且，所述门提供从所述腔室至所述第二腔室的通路。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的处理装置，其中，所述腔室是蚀刻腔室，并且所述第二腔室是热处理腔室。

7.根据权利要求5所述的半导体器件的处理装置，还包括：第三腔室，所述第三腔室具有第三晶圆保持台和第二门，其中，所述第二门提供从所述第二腔室至所述第三腔室的通路。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的处理装置，还包括：

第二加热器，热耦合至所述第二门并且被配置为将所述第二门加热至第二预定温度；以及

第二隔热罩，邻近所述第二门，所述第二隔热罩被配置为减少从所述第二门至所述第三晶圆保持台的热传输。