[发明专利]半导体器件的处理装置和形成半导体器件的方法

说明书

诸如蚀刻腔室门之类的腔室门可以在蚀刻工艺期间被加热，以例如防止蚀刻副产物粘附至蚀刻腔室门。然而，蚀刻腔室门的这种加热可能影响工艺参数并导致不均匀工艺，诸如整个半导体晶圆的不均匀蚀刻特性。诸如覆盖受到加热的门的表面的绝缘膜的绝缘体可以减少或消除热从门至诸如半导体晶圆的工件的传输，因此这减少或消除了工艺结果的不均匀性。本发明的实施例提供了一种半导体装置以及形成该装置的方法。

技术领域

本发明涉及半导体领域，更具体地，本发明涉及一种半导体器件的处理装置和形成半导体器件的方法。

背景技术

随着利用受到越来越严格的临界尺寸控制和均匀性要求的越来越小的器件几何形状来制造半导体器件，需要改进的工艺和制造设备来生产具有可接受性能水平和产量水平的先进的装置。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种装置，包括：腔室，由腔室壁限定；晶圆保持台，位于所述腔室内；门，位于所述腔室壁中，所述门被配置为提供至所述腔室的通路；加热器，热耦合至所述门并且被配置为将所述门加热至预定温度；以及隔热罩，邻近所述门，所述隔热罩被配置为减少从所述门至所述晶圆保持台的热传输。

根据本发明的另一个方面，提供了一种装置，包括：蚀刻腔室、热处理腔室和真空/大气开关腔室；第一平台，位于所述蚀刻腔室中，第二平台，位于所述热处理腔室中以及第三平台，位于所述真空/大气开关腔室中；第一闸门，位于所述蚀刻腔室与所述热处理腔室之间的第一公共腔室壁中，所述第一闸门具有面向所述蚀刻腔室的第一面和面向所述热处理腔室的第二面；第二闸门，位于所述热处理腔室与所述真空/大气开关腔室之间的第二公共腔室壁中，所述第二闸门具有面向所述热处理腔室的第三面和面向所述真空/大气开关腔室的第四面；以及闸门隔热器，形成在选自由所述第一面、所述第二面、所述第三面和所述第四面组成的组中的至少一个面上。

根据本发明的又一个方面，提供了一种方法，包括：在衬底上形成具有第一空间密度并且通过绝缘层彼此绝缘的第一多个鳍；在所述衬底上形成具有第二空间密度的第二多个鳍，所述第二空间密度小于所述第一空间密度，所述第二多个鳍分别通过所述绝缘层彼此绝缘；通过使所述衬底穿过腔室门而将包含所述第一多个鳍和所述第二多个鳍的所述衬底放置到腔室中；关闭所述腔室门；加热所述腔室门，同时使所述衬底与所述加热绝缘；将蚀刻剂气体引入到所述腔室中；以及使用所述蚀刻剂气体来蚀刻所述绝缘层。

附图说明

当与附图一起阅读时，从下面的详细描述可以最好地理解本发明的各个方面。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各个部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以被任意增加或减少。

图1示出了根据一些实施例的示例性多腔室工艺装置。

图2更详细地示出了根据一些实施例的用于工艺装置的示例性腔室。

图3示出了根据一些实施例的在两个面上具有隔热罩的示例性腔室门。

图4a至图4e提供了根据一些实施例的示例性腔室门的进一步细节。

图5a至图5c提供了根据一些实施例的可选示例性腔室门的进一步细节。

图6和图7分别示出了围绕第一多个半导体结构和第二多个半导体结构的绝缘材料的预蚀刻条件和后蚀刻条件，所述结构进一步示出了使用本文中所示的实施例的工艺处理装置实施工艺的有益效果。

具体实施方式