[发明专利]具有电磁干扰屏蔽的半导体封装结构及制造方法有效

专利信息
申请号: 201711041958.5 申请日: 2017-10-30
公开(公告)号: CN109727928B 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/498;H01L23/552
代理公司: 北京市铸成律师事务所 11313 代理人: 张臻贤;武晨燕
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明提供一种具有电磁干扰屏蔽的半导体封装结构及其制造方法。封装结构包括:重布线结构、电磁干扰屏蔽结构和多个芯片。电磁干扰屏蔽结构具有侧壁框部和顶部层,侧壁框部直接形成于重布线结构上的金属垫上。制造方法包括:形成重布线结构,在重布线结构上的金属垫上沉积侧壁框部,模封并减薄塑封体以露出侧壁框部的顶端,沉积金属以形成电磁干扰屏蔽结构的顶部层。本发明的电磁干扰屏蔽结构,其侧壁框部的下方未采用焊料连接的方式,而是直接形成于金属垫之上,避免了焊料爬升、焊料内部孔洞以及焊料渗入到重布线结构内部而造成的短路。
搜索关键词: 具有 电磁 干扰 屏蔽 半导体 封装 结构 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体封装结构,其特征在于,包括:重布线结构,具有覆晶端子安装面,多个金属垫形成于所述覆晶端子安装面上;以及电磁干扰屏蔽结构,包括侧壁框部及顶部层,所述侧壁框部直接形成于所述重布线结构的所述覆晶端子安装面的所述金属垫上;多个芯片,覆晶接合于所述覆晶端子安装面上;以及塑封体,形成于所述覆晶端子安装面上,以密封所述电磁干扰屏蔽结构的所述侧壁框部和所述芯片;其中,所述顶部层贴合于所述塑封体上并连接所述侧壁框部,所述顶部层与所述侧壁框部构成至少一个屏蔽腔,所述屏蔽腔内部设置有至少一个所述芯片。
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