[发明专利]导通孔结构、包含所述导通孔结构的衬底结构以及用于制造所述导通孔结构的方法有效

专利信息
申请号: 201711035190.0 申请日: 2017-10-30
公开(公告)号: CN108933118B 公开(公告)日: 2021-12-28
发明(设计)人: 吕文隆;蒋源峰;蔡宗唐 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/538 分类号: H01L23/538;H01L21/768
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 蕭輔寬
地址: 中国台湾高雄市楠梓*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明揭示一种导通孔结构,其包含基底材料、第一介电层以及第二介电层。所述基底材料包含第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面,且界定至少一个通孔。所述第一介电层位在所述基底材料的所述第一表面上且包含梯度表面,其暴露在所述基底材料的所述通孔中。所述第二介电层位在第一介电层的所述梯度表面上。
搜索关键词: 导通孔 结构 包含 述导通孔 衬底 以及 用于 制造 方法
【主权项】:
1.一种导通孔结构,包括:基底材料,其包含第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面,且界定至少一个通孔;第一介电层,其位在所述基底材料的所述第一表面上且包含梯度表面,所述梯度表面暴露在所述基底材料的所述通孔中;以及第二介电层,其位在第一介电层的所述梯度表面上。
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