[发明专利]导通孔结构、包含所述导通孔结构的衬底结构以及用于制造所述导通孔结构的方法有效

申请号：	201711035190.0	申请日：	2017-10-30
公开（公告）号：	CN108933118B	公开（公告）日：	2021-12-28
发明（设计）人：	吕文隆;蒋源峰;蔡宗唐	申请（专利权）人：	日月光半导体制造股份有限公司
主分类号：	H01L23/538	分类号：	H01L23/538;H01L21/768
代理公司：	北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287	代理人：	蕭輔寬
地址：	中国台湾高雄市楠梓***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	导通孔结构包含述导通孔衬底以及用于制造方法
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【说明书】：

本发明揭示一种导通孔结构，其包含基底材料、第一介电层以及第二介电层。所述基底材料包含第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，且界定至少一个通孔。所述第一介电层位在所述基底材料的所述第一表面上且包含梯度表面，其暴露在所述基底材料的所述通孔中。所述第二介电层位在第一介电层的所述梯度表面上。

技术领域

本发明涉及一种导通孔(via)结构、一种衬底结构以及一种制造方法，且更特定来说，涉及一种导通孔结构，其包含在通孔中具有梯度表面(gradient surface)的介电层，一种包含所述导通孔结构的衬底结构，以及用于制造所述导通孔结构的方法。

背景技术

在半导体封装中(semiconductor package)，包含导电导通孔，其用于半导体封装的不同层之间的电连接。导电导通孔的形成可包含在衬底(substrate)上形成孔洞，以及接着形成介电层，以覆盖所述衬底的表面及所述衬底的孔洞的侧壁。通常通过固化光致成像材料(photoimageable material)(例如，聚合物)来形成所述介电层。然而，于邻近孔洞的侧壁的两端可能形成结块(nodule)(例如，介电层的突出部)，此可能导致导电导通孔的缺陷。

发明内容

在一些实施例中，根据某一方面，导通孔结构包含基底材料(base material)、第一介电层以及第二介电层。所述基底材料包含第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，且界定至少一个通孔。所述第一介电层位在所述基底材料的所述第一表面上且包含在所述基底材料的所述通孔中暴露的梯度表面。所述第二介电层位在第一介电层的所述梯度表面上。

在一些实施例中，根据另一方面，衬底结构包含基底材料及第一介电层。所述基底材料包含第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，且界定至少一个通孔。所述第一介电层位在所述基底材料的所述第一表面上且包含在所述通孔中暴露的梯度表面。

在一些实施例中，根据另一方面，制造导通孔结构的方法包含：(a)形成第一介电层在衬底的基底材料上；(b)形成至少一个通孔贯穿所述基底材料，以在所述通孔中暴露所述第一介电层；(c)形成第二介电层在所述基底材料的所述通孔的侧壁上，其中所述第一介电层的第一部分暴露在所述通孔中且未被所述第二介电层覆盖；以及(d)移除所述第一介电层的所述第一部分。

附图说明

当与附图一起阅读时，可从以下详述描述最佳理解本发明的一些实施例的方面。应注意，各种结构可能并未按比例绘制，且为论述的清晰性可任意增加或减小各种结构的尺寸。

图1说明根据本发明的一些实施例的包含导通孔结构的封装结构的截面视图。

图2说明图1中的区域A的放大视图。

图2A说明根据本发明的一些实施例的包含导通孔结构的封装结构的部分的截面视图。

图3说明根据本发明的一些实施例的导通孔结构的实例。

图4说明根据本发明的一些实施例的导通孔结构的实例。

图5说明根据本发明的一些实施例的导通孔结构的实例。

图6说明根据本发明的一些实施例的包含多个衬底结构的堆叠结构。

图7说明根据本发明的一些实施例的用于制造导通孔结构的方法的实例的一或多个阶段。

图8说明根据本发明的一些实施例的用于制造导通孔结构的方法的实例的一或多个阶段。

图9说明根据本发明的一些实施例的用于制造导通孔结构的方法的实例的一或多个阶段。