[发明专利]半导体装置以及其制造方法有效
| 申请号： | 201711002293.7 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN109698244B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 许静宜;刘士豪;吕武羲;魏云洲;廖志成 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 贾磊;许曼 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体装置以及其制造方法，其包括基底、井区、第一与第二隔离区、介电层、导电层、第一掺杂区、绝缘层、第一接触插塞、以及第二接触插塞。井区形成于基底内。第一隔离区与第二隔离区形成于基底内。介电层形成于井区之上，且设置于第一隔离区与第二隔离区之间。导电层形成于介电层之上。第一掺杂区形成于井区内。绝缘层形成于介电层、第一隔离区、第二隔离区、以及第一掺杂区之上。第一接触插塞形成于绝缘层内且与导电层电连接。第一接触插塞设置于介电层与导电层之间的一重迭区域之上。第二接触插塞形成于绝缘层内且与第一掺杂区电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中，包括：一基底；一井区，形成于该基底内；一第一隔离区与一第二隔离区，形成于该基底内；一介电层，形成于该井区之上，且设置于该第一隔离区与该第二隔离区之间；一导电层，形成于该介电层之上；一第一掺杂区，形成于该井区内；一绝缘层，形成于该介电层、该第一隔离区、该第二隔离区、以及该第一掺杂区之上；一第一接触插塞，形成于该绝缘层内，且与该导电层电连接，其中，该第一接触插塞设置于该介电层与该导电层之间的一重迭区域之上；以及一第二接触插塞，形成于该绝缘层内，且与该第一掺杂区电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于世界先进积体电路股份有限公司，未经世界先进积体电路股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711002293.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种肖特基二极管及无线充电系统
- 下一篇：PERC太阳电池及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
