[发明专利]一种半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201710995782.0 | 申请日： | 2017-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN109698198A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成多个鳍片；在所述鳍片之间的间隙内形成隔离结构，所述隔离结构的顶面低于所述鳍片的顶面，以露出所述鳍片的一部分；对露出的所述鳍片的侧壁执行第一离子注入；蚀刻去除部分露出的所述鳍片的侧壁，以减小所述鳍片的露出部分的宽度；对露出的所述鳍片执行第二离子注入，以在所述鳍片内形成缓冲扩散层。根据本发明提供的半导体器件的制作方法，通过对鳍片的侧壁执行第一离子注入后蚀刻去除部分露出的所述鳍片的侧壁以减小其宽度，然后对露出的所述鳍片执行第二离子注入以在所述鳍片内形成缓冲扩散层，从而克服短沟道效应、避免结泄露，提高了半导体器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍片 半导体器件 侧壁 离子 蚀刻 隔离结构 扩散层 缓冲 衬底 顶面 减小 去除 半导体 制作 短沟道效应 良率 泄露 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成多个鳍片；在所述鳍片之间的间隙内形成隔离结构，所述隔离结构的顶面低于所述鳍片的顶面，以露出所述鳍片的一部分；对露出的所述鳍片的侧壁执行第一离子注入；蚀刻去除部分露出的所述鳍片的侧壁，以减小所述鳍片的露出部分的宽度；对露出的所述鳍片执行第二离子注入，以在所述鳍片内形成缓冲扩散层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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