[发明专利]一种半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成多个鳍片；

在所述鳍片之间的间隙内形成隔离结构，所述隔离结构的顶面低于所述鳍片的顶面，以露出所述鳍片的一部分；

对露出的所述鳍片的侧壁执行第一离子注入；

蚀刻去除部分露出的所述鳍片的侧壁，以减小所述鳍片的露出部分的宽度；

对露出的所述鳍片执行第二离子注入，以在所述鳍片内形成缓冲扩散层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成多个鳍片的步骤包括：

在所述半导体衬底上形成具有鳍片图案的硬掩膜层；

以所述硬掩膜层为掩膜蚀刻去除部分所述半导体衬底，以形成多个鳍片。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述鳍片之间的间隙内形成所述隔离结构的步骤包括：

沉积隔离材料层，以完全填充所述鳍片之间的间隙；

回刻蚀所述隔离材料层，以形成隔离结构。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在执行第二离子注入后还包括去除所述硬掩膜层以及执行第三离子注入以调节阈值电压的步骤。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一离子注入注入的离子包括碳离子和硼离子、或者碳离子和磷离子。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一离子注入的注入角度为0°～5°，离子注入的能量为5keV～20keV，离子注入的剂量为5E12atom/cm²～5E13atom/cm²。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二离子注入注入的离子包括碳离子和氮离子、锗离子和氮离子、碳离子和锗离子、碳离子或者锗离子。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二离子注入的注入角度为10°～20°，离子注入的能量为5keV～20keV，离子注入的剂量为5E13atom/cm²～5E14atom/cm²。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述缓冲扩散层形成于所述鳍片露出部分的底部及靠近底部的侧壁上。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺蚀刻去除部分露出的所述鳍片的侧壁。

11.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多个鳍片；

所述鳍片之间的间隙内形成有隔离结构，所述隔离结构的顶面低于所述鳍片的顶面，以露出所述鳍片的一部分；

所述鳍片露出部分的宽度小于未露出部分的宽度；

所述鳍片内形成有缓冲扩散层。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述缓冲扩散层的掺杂离子包括碳离子和氮离子、锗离子和氮离子、碳离子和锗离子、碳离子或者锗离子。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述缓冲扩散层形成于所述鳍片露出部分的底部及靠近底部的侧壁上。