[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201710992914.4 | 申请日： | 2017-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN108063612A | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 宫沢繁美 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/567 | 分类号： | H03K17/567;H03K17/687;H02H9/02;F02P3/05 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 金玉兰;王颖 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置，在使功率半导体元件导通的控制信号输入到了半导体装置时，将功率半导体元件导通而防止误工作。具备：功率半导体元件(210)，连接于高电位侧的第一端子(204)与低电位侧的第二端子(206)之间，根据栅极电位被控制为导通或截止；切断条件检测部(130)，检测从控制端子(202)输入且对功率半导体元件(210)进行控制的控制信号是否满足切断条件；第一开关元件(140)，相应于检测到控制信号满足切断条件这一情形，将功率半导体元件(210)的栅极电位控制为截止电位；功率半导体元件(210)的集电极电流的检测部(212)，切断条件检测部(130)以控制信号和集电极电流为切断条件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：功率半导体元件，其连接于高电位侧的第一端子与低电位侧的第二端子之间，根据栅极电位而被控制为导通或截止；电流检测部，其检测所述功率半导体元件的集电极电流值；切断条件检测部，其检测从控制端子输入且对所述功率半导体元件进行控制的控制信号是否满足预定的切断条件；以及第一开关元件，其相应于所述切断条件检测部检测到所述控制信号满足所述切断条件这一情形，将所述功率半导体元件的所述栅极电位控制为截止电位，所述切断条件检测部具有连接于所述电流检测部的输入端子，且将所述控制信号和所述集电极电流值用于所述切断条件。
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