[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201710992914.4 申请日: 2017-10-23
公开(公告)号: CN108063612A 公开(公告)日: 2018-05-22
发明(设计)人: 宫沢繁美 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H03K17/567 分类号: H03K17/567;H03K17/687;H02H9/02;F02P3/05
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 金玉兰;王颖
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,具备:

功率半导体元件,其连接于高电位侧的第一端子与低电位侧的第二端子之间,根据栅极电位而被控制为导通或截止;

电流检测部,其检测所述功率半导体元件的集电极电流值;

切断条件检测部,其检测从控制端子输入且对所述功率半导体元件进行控制的控制信号是否满足预定的切断条件;以及

第一开关元件,其相应于所述切断条件检测部检测到所述控制信号满足所述切断条件这一情形,将所述功率半导体元件的所述栅极电位控制为截止电位,

所述切断条件检测部具有连接于所述电流检测部的输入端子,且将所述控制信号和所述集电极电流值用于所述切断条件。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述切断条件检测部具有:

检测部,其检测所述控制信号是否超过了预定的阈值;以及

信号输出部,其根据所述检测部的检测结果,输出对所述第一开关元件进行控制的第一开关元件控制信号。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,

所述第一开关元件将所述功率半导体元件的栅极与发射极电连接,使所述功率半导体元件的栅极为截止电位。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

所述切断条件检测部和所述第一开关元件构成第一栅极控制部,

所述半导体装置具备第二栅极控制部,该第二栅极控制部根据所述功率半导体元件的集电极电流,控制所述功率半导体元件的所述栅极电流。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

所述功率半导体元件是IGBT或纵型MOSFET。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

所述半导体装置是根据来自外部的控制信号对流通于点火线圈的电流进行控制的点火器。

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