[发明专利]LED芯片的制作方法

摘要

本申请公开了一种LED芯片的制作方法，涉及LED制作技术领域，该方法依次包括制作包含GaN基的LED外延片、沉积透明导电层、对透明导电层进行退火处理、制作发光区台面、去除P型GaN层边缘区域的透明导电层、沉积钝化层、制作P型电极、P型焊盘、N型电极和N型焊盘并形成LED芯片组合、切割形成单独的LED芯片。如此方案，在完成透明导电层的沉积后，立即将透明导电层进行退火处理，这样制备出的透明导电层的穿透率高，可有效提升LED芯片的亮度。

主权项

一种LED芯片的制作方法，其特征在于，依次包括：制作包含GaN基的LED外延片，所述LED外延片包括依次设置的蓝宝石衬底、生长在所述蓝宝石衬底上的N型GaN层、以及生长在所述N型GaN层上的有源区量子阱层、以及生长在所述有源区量子阱层上的P型GaN层；在270℃‑330℃气氛下，沉积透明导电层，所述透明导电层的厚度为20nm至300nm；将所述透明导电层进行退火处理，使所述透明导电层变为致密融合状态并与所述P型GaN层形成欧姆接触，其中，退火处理的温度为500℃至680℃，退火处理的时间为2min‑20min；通过光刻、刻蚀和清洗去胶使N型GaN层部分裸露，制作出发光区台面；通过光刻和刻蚀将所述P型GaN层边缘区域的透明导电层去除；在所述P型GaN层边缘区域沉积SiO2钝化层，使所述SiO2钝化层覆盖部分所述透明导电层、所述P型GaN层的边缘区域、所述有源区量子阱层的侧面以及部分所述N型GaN层，并经过光刻、刻蚀、去胶清洗漏出待蒸镀的P型电极区域、P型焊盘区域、N型电极区域和N型焊盘区域；在所述P型电极区域、所述P型焊盘区域、所述N型电极区域和所述N型焊盘区域分别制备P型电极、P型焊盘、N型电极和N型焊盘，形成LED芯片组合；将所述LED芯片组合进行退火处理并切割形成多个单独的LED芯片。