[发明专利]LED芯片的制作方法

权利要求书

1.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，依次包括：

制作包含GaN基的LED外延片，所述LED外延片包括依次设置的蓝宝石衬底、生长在所述蓝宝石衬底上的N型GaN层、以及生长在所述N型GaN层上的有源区量子阱层、以及生长在所述有源区量子阱层上的P型GaN层；

在270℃-330℃气氛下，沉积透明导电层，所述透明导电层的厚度为20nm至300nm；

将所述透明导电层进行退火处理，使所述透明导电层变为致密融合状态并与所述P型GaN层形成欧姆接触，其中，退火处理的温度为500℃至680℃，退火处理的时间为2min-20min；

通过光刻、刻蚀和清洗去胶使N型GaN层部分裸露，制作出发光区台面；

通过光刻和刻蚀将所述P型GaN层边缘区域的透明导电层去除；

在所述P型GaN层边缘区域沉积SiO₂钝化层，使所述SiO₂钝化层覆盖部分所述透明导电层、所述P型GaN层的边缘区域、所述有源区量子阱层的侧面以及部分所述N型GaN层，并经过光刻、刻蚀、去胶清洗漏出待蒸镀的P型电极区域、P型焊盘区域、N型电极区域和N型焊盘区域；

在所述P型电极区域、所述P型焊盘区域、所述N型电极区域和所述N型焊盘区域分别制备P型电极、P型焊盘、N型电极和N型焊盘，形成LED芯片组合；

将所述LED芯片组合进行退火处理并切割形成多个单独的LED芯片。

2.根据权利要求1所述LED芯片的制作方法，其特征在于，在制作所述LED外延片之后、沉积所述透明导电层之前，还包括：在所述P型GaN层表面沉积SiO₂电流阻挡层，所述电流阻挡层的厚度为60nm至500nm，并通过光刻、刻蚀、清洗去胶对所述电流阻挡层进行处理，形成电流阻挡层图形。

3.根据权利要求2所述LED芯片的制作方法，其特征在于，在所述P型GaN层上沉积SiO₂电流阻挡层的方法为离子源辅助沉积方法或等离子体增强化学气相沉积法。

4.根据权利要求1所述LED芯片的制作方法，其特征在于，沉积所述透明导电层的方法为蒸镀沉积、溅射沉积或反应等离子沉积。

5.根据权利要求1所述LED芯片的制作方法，其特征在于，所述透明导电层的材料为氧化铟锡。

6.根据权利要求1所述LED芯片的制作方法，其特征在于，将所述透明导电层进行退火处理的方法为高温炉管退火法或快速退火炉退火法。

7.根据权利要求1所述LED芯片的制作方法，其特征在于，所述通过光刻、刻蚀和清洗去胶使N型GaN层部分裸露，其中刻蚀的方法为干法刻蚀或湿法刻蚀。

8.根据权利要求7所述LED芯片的制作方法，其特征在于，所述干法刻蚀为反应离子刻蚀或感应耦合等离子体刻蚀。

9.根据权利要求1所述LED芯片的制作方法，其特征在于，在所述P型GaN层边缘区域沉积SiO₂钝化层的方法为离子源辅助沉积或等离子体增强化学气相沉积。