[发明专利]半导体晶圆的化学机械研磨方法及设备

摘要

本发明提供一种半导体晶圆的化学机械研磨方法及设备，包括：1）提供一待研磨晶圆，包括多个芯片，所述芯片的表面具有第一厚度的第一台面及第二厚度的第二台面，该第一、第二台面上依次层叠有第一材料层及第二材料层，所述第一厚度大于所述第二厚度；2）采用化学机械研磨工艺对所述待研磨晶圆进行研磨处理，包括：通入第一pH值的第一研磨液对所述待研磨晶圆进行研磨，以及继续通入所述第一pH值的第一研磨液，同时通入pH值调整液，对所述待研磨晶圆继续研磨。本发明通过在特定的时机点对制程配方内的关键参数研磨液流量中增加去离子水流量，直接调控研磨液pH值，将芯片由于边缘高度差而导致的氮化钛层残留完全移除掉。

主权项

1.一种半导体晶圆的化学机械研磨方法，其特征在于，所述化学机械研磨方法包括：1)提供一待研磨晶圆，所述待研磨晶圆包括多个芯片，所述芯片的表面具有第一厚度的第一台面以及第二厚度的第二台面，所述第一台面上及所述第二台面上皆依次层叠有第一材料层及第二材料层，其中，所述第一厚度大于所述第二厚度；2)采用化学机械研磨工艺(CMP)对所述待研磨晶圆进行研磨处理，包括：第一研磨阶段：通入第一pH值的第一研磨液对所述待研磨晶圆进行研磨，直至露出所述第一台面上的所述第一材料层，其中，所述第一pH值的第一研磨液对所述第二材料层的研磨选择比高于所述第一材料层；以及第二研磨阶段：继续通入所述第一pH值的第一研磨液，同时通入pH值调整液，以获得第二pH值的第二研磨液，并采用该第二研磨液对所述待研磨晶圆继续研磨，以将所述第一台面及所述第二台面上的第一材料层全部去除，其中，所述第二pH值的第二研磨液对所述第二材料层的研磨选择比低于所述第一材料层。