[发明专利]一种LED芯片及其制备方法

摘要

本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，其中，所述LED芯片的制备方法在形成覆盖外延结构、第一切割电极、第二切割电极、P电极和N电极的第一封装结构后，将承载外延结构的衬底去除，并在外延结构背离N电极一侧形成覆盖所述外延结构背离所述第一封装结构一侧表面的第二封装结构，避免了衬底对LED芯片发光的吸收，可以实现360°的发光角度，实现了增加LED芯片发光角度的目的；并且，所述LED芯片的制备方法制备的LED芯片由于没有衬底对于光线的遮挡和吸收，因此无需制备结构较为复杂的分布式布拉格反射镜等反射结构提高光线的利用率，从而降低了LED芯片的制备工艺的复杂度。

主权项

1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有外延结构，所述外延结构至少包括N型导电层、量子阱层和P型导电层；对所述外延结构及衬底进行刻蚀，以在所述衬底表面及外延结构两侧分别形成一道切割痕迹，并使部分所述N型导电层暴露出来；蒸镀电极，以在所述N型导电层表面形成N电极，在所述P型导电层表面形成P电极，在所述衬底表面形成第一切割电极和第二切割电极，所述第一切割电极和第二切割电极分别位于所述外延结构两侧，且完全覆盖所述切割痕迹；设置第一引线和第二引线，以将所述N电极和P电极分别与所述第一切割电极和第二切割电极电连接；形成覆盖所述外延结构、第一切割电极、第二切割电极、P电极和N电极的第一封装结构；去除所述衬底，并在所述外延结构背离所述N电极一侧形成覆盖所述外延结构背离所述第一封装结构一侧表面的第二封装结构；利用所述切割痕迹对所述第一切割电极和第二切割电极进行切割，以获得LED芯片。