[发明专利]一种LED芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201710936670.8 | 申请日： | 2017-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN107731968B | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 贾钊;赵炆兼;张双翔;杨凯;陈凯轩 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/54 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆宗力;王宝筠 |
| 地址： | 225101 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，其中，所述LED芯片的制备方法在形成覆盖外延结构、第一切割电极、第二切割电极、P电极和N电极的第一封装结构后，将承载外延结构的衬底去除，并在外延结构背离N电极一侧形成覆盖所述外延结构背离所述第一封装结构一侧表面的第二封装结构，避免了衬底对LED芯片发光的吸收，可以实现360°的发光角度，实现了增加LED芯片发光角度的目的；并且，所述LED芯片的制备方法制备的LED芯片由于没有衬底对于光线的遮挡和吸收，因此无需制备结构较为复杂的分布式布拉格反射镜等反射结构提高光线的利用率，从而降低了LED芯片的制备工艺的复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有外延结构，所述外延结构至少包括N型导电层、量子阱层和P型导电层；对所述外延结构及衬底进行刻蚀，以在所述衬底表面及外延结构两侧分别形成一道切割痕迹，并使部分所述N型导电层暴露出来；蒸镀电极，以在所述N型导电层表面形成N电极，在所述P型导电层表面形成P电极，在所述衬底表面形成第一切割电极和第二切割电极，所述第一切割电极和第二切割电极分别位于所述外延结构两侧，且完全覆盖所述切割痕迹；设置第一引线和第二引线，以将所述N电极和P电极分别与所述第一切割电极和第二切割电极电连接；形成覆盖所述外延结构、第一切割电极、第二切割电极、P电极和N电极的第一封装结构；去除所述衬底，并在所述外延结构背离所述N电极一侧形成覆盖所述外延结构背离所述第一封装结构一侧表面的第二封装结构；利用所述切割痕迹对所述第一切割电极和第二切割电极进行切割，以获得LED芯片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州乾照光电有限公司，未经扬州乾照光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710936670.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 一种电致发光器件及其制备方法-201710232916.3
- 陈崧;钱磊;杨一行;曹蔚然;向超宇 - TCL集团股份有限公司
- 2017-04-11 - 2019-11-12 - H01L33/00
- 本发明公开一种电致发光器件及其制备方法，其中，所述方法包括：步骤A、在第一电极上沉积空穴注入层；步骤B、在空穴注入层上沉积空穴传输层；步骤C、在空穴传输层上沉积发光层；步骤D、在发光层层上沉积电子传输层，所述电子传输层的材料为纳米颗粒薄膜经交联处理形成的交联纳米颗粒薄膜；步骤E、在所述发光层上蒸镀第二电极，得到电致发光器件。本发明将获得的交联纳米颗粒薄膜应用在溶液法制备的电致发光器件中，能显著提高同等条件下注入发光层的电子电流量，这有助于改善电致发光器件内部的载流子平衡，从而提高器件的发光效率并延长器件的使用寿命。
- 一种发光二极管芯片及其制作方法-201810254579.2
- 魏晓骏;王群;郭炳磊;董彬忠;李鹏;王江波 - 华灿光电（浙江）有限公司
- 2018-03-26 - 2019-11-12 - H01L33/00
- 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。芯片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、反射层、多量子阱层、P型半导体层、N型电极和P型电极；缓冲层、N型半导体层、反射层、多量子阱层和P型半导体层依次层叠在衬底上，P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的凹槽，N型电极设置在N型半导体层上，P型电极设置在P型半导体层上；反射层包括第一子层，第一子层的材料为金属或者合金。本发明通过在N型半导体层和多量子阱层之间设置反射层，提高了光线的有效利用率，同时反射层包括第一子层，第一子层的材料为金属或者合金，具有良好的导电性，有利于多量子阱层中载流子的均匀分布，改善多量子阱层发光的一致性。
- 一种LED基板夹治具-201920120373.0
- 苏佳槟;李明珠;沈洪宝 - 广州硅能照明有限公司
- 2019-01-24 - 2019-11-12 - H01L33/00
- 本实用新型公开了一种LED基板夹治具，包括托盘及若干盖板，托盘设有若干LED基板固定结构，LED基板固定结构的数量与盖板的数量相同，每一LED基板固定结构包括安置槽及盖板安置部，安置槽的深度大于盖板安置部的深度，盖板安置部环绕安置槽，盖板设有若干发光面孔，LED基板收容于安置槽内，盖板位于盖板安置部并与托盘固定，此时盖板压平LED基板，使LED基板不易翘曲，防止因LED基板翘曲变形造成的胶体不平和荧光粉不均。
- 增强型CMOS传感器发光二极管单元结构制备方法-201810556687.5
- 楚双印;李俊友;谢涛;刑美立 - 广州锋尚电器有限公司
- 2018-05-31 - 2019-11-08 - H01L33/00
- 本发明公开了一种增强型CMOS传感器发光二极管单元结构制备方法，包括P型晶圆清洗和表面氧化层剥离，氧化层镀膜，掩膜、氧化层开方形窗口和高能离子束表面处理，Si腐蚀，掩膜和氧化层开方形窗口，N型掺杂，氧化层镀膜，掩膜和氧化层开孔，P型掺杂，氧化层腐蚀、硅化物阻挡层镀膜和掩膜开孔，硅化物镀膜、退火、去除未反应的硅化物和阻挡层，氮化层镀膜、氧化层镀膜、掩膜和开引线接触孔，金属镀膜，化学机械磨平，氧化层镀膜、掩膜、氧化层腐蚀和连线金属镀膜。本发明制备工艺简单，能够增强量子转换效率，降低成本。
- 一种紫外LED芯片的制作方法-201810110016.6
- 曾昭烩;刘晓燕;陈志涛;张康;龚政;刘久澄;任远;潘章旭;李叶林 - 广东省半导体产业技术研究院
- 2018-02-05 - 2019-11-08 - H01L33/00
- 本发明提供了一种紫外LED芯片的制作方法，涉及半导体发光器件领域。此方法采用先定义出紫外LED芯片结构的n型AlGaN欧姆接触区域，生长阻挡层覆盖其它区域，n型AlGaN欧姆接触区域上MOCVD生长薄层n‑GaN/n‑InGaN作为n型欧姆接触层，再制作倒装结构近紫外LED。薄层n‑GaN/n‑InGaN厚度足够薄，而且n‑GaN/n‑InGaN所占据区域小，n‑GaN/n‑InGaN对紫外光吸收极小，对发光效率影响不大。本发明可有效降低n‑AlGaN欧姆接触的退火温度，避免高温退火带来的工艺问题，具有方法简单、成本低廉、可以精确控制n‑GaN/n‑InGaN生长区域等优点，适合大规模生产。
- 无转移的微LED显示器-201680033575.0
- T·J·奥斯雷 - 康宁股份有限公司
- 2016-06-08 - 2019-11-08 - H01L33/00
- 本文描述了基于发光二极管的显示器以及所述显示器的制造方法。具体而言，本文所描述的装置结合了微LED(190)直接发射技术以及将所述装置直接制造在LED晶片上的方法。改善了的装置将硅基材(120)上的GaN层(110')结合入装置结构中，允许单个μLED控制和通过硅进行背面接触，同时避免了蓝宝石的使用或不得不将μLED转移至另一个基材的情况。
- 提高LED亮度的芯片制作方法-201811453367.3
- 徐平 - 湘能华磊光电股份有限公司
- 2018-11-30 - 2019-11-05 - H01L33/00
- 本申请公开了提高LED亮度的芯片制作方法，包括步骤：清洗外延片；刻蚀第一外延片；设置第一P电极和第一N电极；在第一P电极和第一N电极上方蒸镀Al单质薄膜层；Al单质薄膜层发生球聚反应，生成氧化铝膜层；在所述氧化铝膜层上制备ITO薄膜层，并在ITO薄膜层上开设窗口；在所述ITO薄膜层上设置第二P电极和第二N电极；在所述第二P电极和所述第二N电极上方生成氧化硅薄膜层，并开设窗口。本发明能够明显提升LED芯片的亮度，还能降低接触电阻，从而降低LED芯片的正向电压。本发明能够明显提升LED的发光强度，从而提高LED亮度，且本发明采用的是目前LED行业通用的工艺及设备，适合工业化生产。
- 光电元件与其制造方法-201710590571.9
- 韩政男;李宗宪;谢明勋;陈宏萱;刘欣茂;陈星兆;陶青山;倪志鹏;陈泽澎;吴仁钊;佐野雅文;王志铭 - 晶元光电股份有限公司
- 2012-05-15 - 2019-11-05 - H01L33/00
- 本发明公开一种光电元件与其制造方法。该光电元件具有一光电单元，光电单元具有一第一上表面、与第一上表面相对的一第一下表面以及介于第一上表面与第一下表面之间的一侧面；一第一透明结构，覆盖光电单元的侧面与曝露第一上表面；一第一绝缘层，位于第一上表面与第一透明结构之上；一第二绝缘层位于第一绝缘层之上；一第一开口穿过第一绝缘层与第二绝缘层；以及一第一导电层，位于第二绝缘层之上，并经由第一开口与光电单元电连接。
- 发光二极管及其制备方法-201610890543.4
- 张杰;彭遥 - 比亚迪股份有限公司
- 2016-10-11 - 2019-11-05 - H01L33/00
- 本发明提出了发光二极管及其制备方法。该发光二级管包括：衬底；第一类型半导体层，所述第一类型半导体层的侧壁自下而上依次包括电极台阶以及保护层台阶，所述电极台阶上设置有第一类型电极；多量子阱发光层；第二类型半导体层，所述第二类型半导体层上设置有第二类型电极；保护层，所述保护层覆盖所述第二类型半导体层上表面除所述第二类型电极以外区域，并且所述保护层覆盖所述第二类型半导体层的侧壁、所述多量子阱发光层的侧壁以及所述保护层台阶的侧壁。具有上述结构的发光二极管可缓解器件侧壁处保护层易脱落破损的问题，从而可以降低由于侧壁处保护层失效而造成的器件漏电。
- 一种UV LED全无机密封结构及其制备方法-201910666989.2
- 孙雷蒙;杨丹;刘芳;李坤 - 华引芯（武汉）科技有限公司
- 2019-07-23 - 2019-11-01 - H01L33/00
- 本发明提供了一种UV LED全无机密封结构，包括基板、芯片、封盖，所述芯片固定在所述基板的中间，所述封盖包括固定在所述基板上且包围所述芯片的金属框和设置在所述金属框上端内侧的玻璃盖板，所述玻璃盖板的横截面积在远离基板的方向逐渐增大，所述金属框与所述玻璃盖板紧密配合。本发明还提供了一种UV LED全无机密封结构的制备方法，该方法工艺简单，可操作性强。本发明的密封结构不但能有效解决紫外高能辐射产生的材料老化脆化问题，还可以解决封装结构透湿透氧造成的湿应力及气密性差等问题，从而增强UV LED封装结构的稳定性和可靠性，提高UV LED的工作寿命。
- 一种显示结构生产方法-201810527506.6
- 潘小和 - 矽照光电（厦门）有限公司
- 2018-05-26 - 2019-11-01 - H01L33/00
- 本发明公开了一种显示结构生产方法，包括步骤：在柔性衬底上制造有源矩阵显示控制芯片衬底；在蓝宝石晶圆上生长短波长III‑V族半导体发光器件量子发光薄膜；将有源矩阵显示控制芯片衬底具有金属薄膜粘合层的一面与带有短波长III‑V族半导体发光器件量子发光薄膜的蓝宝石晶圆进行金属粘合；整个柔性有源矩阵显示控制芯片衬底都覆盖上短波长III‑V族半导体发光器件量子发光薄膜；刻蚀形成短波长III‑V族半导体发光器件量子发光阵列；填充阵列之间沟隙；进行平面化处理；在阵列表面上设置透明ITO薄膜电极层；分别沉积至少三基色光致激发薄膜层并刻蚀形成有源薄膜矩阵像素阵列；在有源薄膜矩阵像素阵列上覆盖一层透明保护层，得到显示结构。
- 一种纳米线耦合量子点结构及其制备方法-201811248128.4
- 王新强;王平;沈波;孙萧萧;王涛;陈兆营;盛博文;郑显通;荣新;王丁 - 北京大学
- 2018-10-25 - 2019-11-01 - H01L33/00
- 本发明公开了一种纳米线耦合量子点结构及其制备方法。本发明采用在生长衬底上生长纳米线形成纳米线基板，然后生长量子点结构，再通过原位热蒸发处理从侧壁缩小横向尺度，得到再构量子点结构，最后原位生长修复层；本发明的量子点的纵向尺寸能够在初始外延生长中得到精确控制，而横向尺寸则能够在基于各向异性热蒸发的再构过程中得到有效控制；再构量子点的横向尺寸，通过各向异性热蒸发调控，能够突破纳米线横向尺寸的禁锢，甚至实现极端尺寸(<10nm)再构量子点；利用各向异性热蒸发处理再构量子点，工艺简单，成本低廉，扩展性强，可重复性高，能够实现批量化制备，推动三维强受限纳米线耦合量子点结构的高效制备。
- 载流子传输层的制备方法及磁控溅射装置-201711046174.1
- 常帅;钟海政 - 京东方科技集团股份有限公司
- 2017-10-31 - 2019-10-29 - H01L33/00
- 本发明提供一种载流子传输层的制备方法及磁控溅射装置，该制备方法包括：提供一导电基板；将贵金属和载流子传输层材料制成靶材；以及采用磁控溅射，在所述导电基板上同时沉积贵金属和载流子传输层材料，得到贵金属纳米颗粒掺杂的载流子传输层。本发明的制备方法及磁控溅射装置具有成本低、通用型强、可大面积制备等优势，所得贵金属纳米颗粒掺杂的载流子传输层表面均一性较好且容易进行表面形貌调控，可有效提高LED器件的发光效率和器件稳定性。
- LED芯片制作方法-201610420636.0
- 胡弃疾;张雪亮;汪延明 - 湘能华磊光电股份有限公司
- 2016-06-13 - 2019-10-29 - H01L33/00
- 本申请公开LED芯片制作方法，依次包括：外延片清洗、沉积CBL电子阻挡层、CBL电子阻挡层图形化、蒸镀ITO透明导电层、沉积SiON膜、ITO光刻、用磷酸将SiON腐蚀图形化、ITO蚀刻图形化、ITO图形化后去胶、ICP光刻、ICP刻蚀露出N区、ICP蚀刻去胶、用磷酸去除SiON、ITO合金和沉积SiO2保护层。在沉积ITO之后，在ITO表面沉积一层SiON，这样就使得ITO光刻、ITO蚀刻图形化、ICP光刻、ICP刻蚀、ICP刻蚀后去胶这五步过程中ITO膜层受到SiON的保护，避免了损伤和污染，提高了ITO膜层质量，从而提高了LED芯片的亮度，降低了电压。
- 一种发光二极管芯片及其制作方法-201611237083.1
- 何鹏 - 湘能华磊光电股份有限公司
- 2016-12-28 - 2019-10-29 - H01L33/00
- 本发明提供了一种发光二极管芯片的制作方法，包括步骤：A、在P型半导体层上沉积出电流阻挡层，电流阻挡层的厚度为250‑1000nm；此时电流阻挡层不开孔；B、在不开孔的电流阻挡层上沉积出透明导电层，此时电流阻挡层不开孔，透明导电层开孔；进行湿法腐蚀，不去除光刻胶；C、干法刻蚀电流阻挡层到P型氮化镓层上表面。本申请方法工艺步骤精简，工艺参数易于控制，适合工业化生产。
- 一种面向Micro LED芯片的新型巨量拾取和贴装设备-201920181303.6
- 洪金华;李鉴明;郭爽;徐强 - 南昌大学
- 2019-02-01 - 2019-10-29 - H01L33/00
- 本实用新型公开了一种面向Micro LED芯片的新型巨量拾取和贴装设备，包括移动单元、拾取单元、传感单元、视觉定位单元、调平单元、以及作为以上各单元安装基础的支架。其中拾取单元通过电磁力吸附方式可实现对Micro LED芯片巨量拾取，移动单元保证机械臂的X，Y，Z三轴运动，实现区域转移，视觉定位单元通过视觉相机对对装置运动进行实时监测与指引，为调平单元与运动单元提供信息，最终完成Micro LED芯片的转移。通过本实用新型，各个模块单元之间相互联系，共同协作，显著提升了芯片转移的效率，同时获得对芯片高速高精的转移效果。
- 一种面向Micro LED芯片的新型转移设备-201920181873.5
- 洪金华;邱旋;郑阳辉 - 南昌大学
- 2019-02-01 - 2019-10-29 - H01L33/00
- 本实用新型公开了一种面向Micro LED芯片的新型转移设备，包括转移单元、激光剥离单元、拾取头切换单元、视觉检测单元、修补单元以及作为以上各单元安装基础的支架。该面向Micro LED芯片的转移设备，其中转移单元可实现Micro LED芯片的拾取及转移；激光剥离单元可以实现Micro LED芯片与基板的剥离；俯视固定相机可对需转移Micro LED芯片的尺寸、数量、位置进行预判断，实现对拾取头的粗定位；拾取头切换单元可以自动选择和切换拾取头，实现不同尺寸、数量的Micro LED芯片的拾取及转移；视觉检测相机用于检测Micro LED芯片转移后是否正常工作；修补单元用于对不正常工作Micro LED芯片的修补，最终实现Micro LED芯片的转移，获得对Micro LED芯片快速精确转移效果。
- 用于制造大量光电子半导体器件的方法以及光电子半导体器件-201680005873.9
- L.赫佩尔 - 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
- 2016-01-13 - 2019-10-29 - H01L33/00
- 说明了一种用于制造大量光电子半导体器件（1）的方法，其中所述方法包括如下步骤：a)提供具有半导体层序列（20）的复合体（3），其中所述复合体具有大量彼此机械连接的器件区（3）；b)在所述半导体层序列上构造大量触头（4），其中在每个器件区上构造至少一个触头；c)在所述半导体层序列上构造模塑料（50），其中所述模塑料填充在所述触头之间的中间空间（45）；d)分割具有所述模塑料的复合体，其中在从所述模塑料分割时形成大量成型体（5），所述成型体（5）分别分配有一个来自所述复合体的器件区的半导体主体（2）。此外，还说明了一种光电子半导体器件。
- 一种GaAs基红外倒装LED外延片结构及其制备方法-201810676839.5
- 王建立;肖成峰;王成新 - 山东浪潮华光光电子股份有限公司
- 2018-06-27 - 2019-10-25 - H01L33/00
- 本发明涉及一种GaAs基红外倒装LED外延片结构及其制备方法，由下自上依次包括GaAs缓冲层、GaxIn1‑xP腐蚀阻挡层、AlyGaAs欧姆接触层、N‑AlzGaAs粗化层、AlaGaAs下限制层、InGaAs/AlbGaAs量子阱发光区、AlcGaAs上限制层、AldGa1‑dInP过渡层、P‑GaP电流扩展层；本发明将P型电流扩展的AlxGaAs材料改为AlxGa1‑xInP材料过渡及GaP材料的电流扩展层，减少光吸收，提高出光效率，减少元件功率损耗的问题。本发明P型AlGaAs限制层采用C自掺杂代替Mg掺杂减少缺陷，提高成晶质量。
- 一种辅助用于GaAs基LED芯片减薄前去蜡的工装夹具及其工作方法-201610776921.6
- 刘晓;赵霞焱;郑军;智友臻;徐现刚 - 山东浪潮华光光电子股份有限公司
- 2016-08-31 - 2019-10-25 - H01L33/00
- 本发明涉及一种辅助用于GaAs基LED芯片减薄前去蜡的工装夹具及其工作方法，属于半导体减薄工艺技术领域，装置包括从下到上相连的工装底座、旋转轴承、载盘台，旋转轴承包括设于下端的轴承底座和上端的轴承支架，载盘台中心设有陶瓷盘固定支柱。将轴承底座与工装底座相连，将载盘台与旋转轴承的轴承支架相连；将待去蜡纸的陶瓷盘背面卡孔对准陶瓷盘固定支柱，放置于载盘台上；操作者借助于旋转轴承，转动载盘台，使陶瓷盘顺时针或逆时针旋转，再利用刀片沿晶片边缘去掉多余蜡纸。本发明制作的工装夹具，构造简单，成本低廉，操作简便，可有效提高去蜡纸效率，防止去蜡纸作业时刀片划伤、划裂晶片甚至毁损芯片边缘，降低芯片的损失率。
- 一种GaN基无荧光粉自发白光LED芯片结构及其制备方法-201710270077.4
- 杨国锋;汪金;张秀梅;谢峰;钱维莹 - 江南大学
- 2017-04-24 - 2019-10-25 - H01L33/00
- 本发明涉及一种GaN基无荧光粉自发白光LED芯片结构及其制备方法，其中制作方法包括：在蓝宝石衬底上依次沉积GaN缓冲层、N型GaN、二氧化硅薄膜。利用光刻技术沿蓝宝石衬底[1‑100]和[11‑20]晶向在所述的SiO2薄膜上进行刻蚀，制备SiO2掩膜。在二氧化硅掩膜层上依次生长N型GaN、InGaN/GaN量子阱、P型GaN、透明导电层以及制备N型和P型电极。本发明兼顾目前的常用的半导体器件生产工艺流程，可以实现在无荧光粉的条件下出射白光，避免了荧光粉对白光LED的衰减作用的影响。
- 一种去除DBR膜层的制作方法-201710793690.4
- 艾国齐 - 佛山市国星半导体技术有限公司
- 2017-09-06 - 2019-10-25 - H01L33/00
- 本发明提供的一种去除DBR膜层的制作方法，包括：提供一LED晶圆，其中，所述LED晶圆的底部设有DBR膜层，对所述DBR膜层进行刻蚀，形成第一孔洞，对所述第一孔洞进行干法刻蚀，形成贯穿所述DBR膜层的第二孔洞，对所述DBR膜层进行湿法刻蚀，去除所述DBR膜层，先对DBR膜层进行光刻，能够形成多个规则、尺寸同一的第一孔洞，这样有利于后续的刻蚀，从而最终使DBR膜层顺利去除，进一步地，通过形成第二孔洞便于使刻蚀溶液渗入到所述DBR膜层与所晶园的述衬底之间，从而便于去除所述DBR膜层，提高DBR膜层的去除率。
- 一种LED封装及其制造方法-201810618406.4
- 戴世元 - 扬州市扬扬照明器材有限公司
- 2018-06-15 - 2019-10-25 - H01L33/00
- 本发明提供了一种LED封装及其制造方法，所述LED封装的制造方法，包括以下步骤：形成复合树脂板，在所述复合树脂板中形成多个呈矩阵排列的通孔，在每个通孔中均嵌入一个金属柱，所述金属柱的顶表面与所述复合树脂板的上表面齐平，每个所述金属柱的一部分从所述复合树脂板的下表面露出，接着在所述复合树脂板的上表面沉积多层导热结构层，然后形成电路布线层，在所述电路布线层上装配多个LED芯片，最后形成树脂封装胶层。本发明的LED封装具有优异的密封性能、抗震性能、导热性能以及稳定性能，增长了其使用寿命。
- 一种微型器件去除装置及去除系统-201920405979.9
- 韩进龙 - 韩进龙
- 2019-03-27 - 2019-10-25 - H01L33/00
- 本实用新型公开了一种微型器件去除装置及去除系统，属于电子制造领域。本方案针对现有技术中存在的无法对安装好微型器件的基板进行错误器件快速去除的问题，本实用新型提供了一种微型器件去除装置及去除系统，首先由检测装置确认不良微型器件位置，通过控制系统，将数据传送给去除装置。快速有效大批量的移转基材上不良的微型器件，因此合格的微型器件保留在基材上，不良的微型器件吸附于去除感应装置，去除感应装置旋转至去除刮刀位置，刮刀刮除吸附在去除感应装置表面的微型器件，此过程完成不良的微型器件去除流程。效率高，准确率好，易于生产，特别适用于微型的器件在未完全固定在基板前进行的快速有效大批量挑选去除不良品。
- 一种正装LED芯片-201920503304.8
- 仇美懿;庄家铭 - 佛山市国星半导体技术有限公司
- 2019-04-12 - 2019-10-25 - H01L33/00
- 本实用新型公开了一种正装LED芯片，其特征在于，包括衬底，设于衬底上的第一半导体层，设于第一半导体层上的发光结构、环状结构、第一电极和隔离沟槽，以及设于发光结构上的第二电极；所述环状结构将第一电极的本体包围在内，所述隔离沟槽位于发光结构和环状结构之间。本实用新型的正装LED芯片通过环状结构，有效避免芯片因金属电解迁移引起的短路，提高芯片的抗高温高湿性能，提高芯片的稳定性。
- 发光二极管的制造方法及由此制成的发光二极管-201610034668.7
- 林容撤;朴成柱 - 光州科学技术院
- 2016-01-19 - 2019-10-22 - H01L33/00
- 本发明提供了发光二极管的制造方法及由此制成的发光二极管。更具体而言，涉及发光二极管的制造方法，包括如下步骤：在发光结构物上形成凹凸图案；在所述凹凸图案上移植纳米球层；对其进行干法刻蚀，以在所述凹凸图案的表面上形成布置有多个纳米突起的层次表面结构；进行用于降低表面能的化学涂料。根据本发明，通过纳米球刻蚀和干法刻蚀工艺在周期性地布置的凹凸图案表面上能容易形成具有多个纳米突起的层次表面结构，因此，能够简化制造工艺，提高制造良率。并且，借助层次表面结构，能够提高发光二极管的光输出(光提取)及光均匀性。而且，针对水和油提供超防水性和超防油性的湿润特性，从而能够提供自清除附着于表面上的污染源的功能，因此，当实际使用发光二极管时可以防止因污染源导致的光效率减少，且提高元件的使用寿命。
- 一种LED及其制造方法以及采用该LED的电子设备-201610340758.9
- 唐玮;王昌勇;聂宇 - 华为终端有限公司
- 2016-05-19 - 2019-10-22 - H01L33/00
- 本发明实施例公开了一种LED及其制造方法以及采用该LED的电子设备。其中，一种发光二极管，包括发光二极管本体和填充物。所述发光二极管本体包括注塑浇口，所述注塑浇口为凹陷的缺口。所述填充物设置在所述注塑浇口的凹陷的缺口中，并使所述填充物不超出发光二极管本体的尺寸。本发明实施例的一种LED及其制造方法以及采用该LED的电子设备。通过在LED本体的浇口上填充填充物，从而增加LED的强度。避免了LED应为强度低而引起的损坏。
- 一种基于倒装结构的白光Micro LED结构-201910677032.8
- 刘国旭;申崇渝 - 易美芯光（北京）科技有限公司
- 2019-07-25 - 2019-10-18 - H01L33/00
- 本发明公开了一种基于倒装结构的白光Micro LED结构，包括电路基板和Micro LED芯片，所述Micro LED芯片等间距交错分布在所述电路基板上，所述Micro LED芯片通过P电极和N电极与电路基板的正负极相连接，所述P电极通过P型GaN与N型GaN连接，在所述P型GaN与N型GaN之间的界面处形成量子阱，并在所述Micro LED芯片内灌入量子点材料，在各个所述Micro LED芯片之间的间隔处填充黑胶，本发明能够将LED芯片和白光转化为一体的白光micro LED实现结构，不仅具备传统LED高效率、高亮度、高可靠性和反应时间快的优点，还具有节能、机构简单、体积小、薄型以及发光无需背光源的特点，加工更容易实现。
- InGaN量子点的外延生长方法及其应用-201810299704.1
- 江灵荣;田爱琴;刘建平;张书明;池田昌夫;杨辉 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学院大学
- 2018-04-04 - 2019-10-18 - H01L33/00
- 本发明公开了一种InGaN量子点的外延生长方法，其包括步骤：A、在外延生长装置中，在衬底上依次叠层生长n型GaN层、第一GaN垒层和InGaN阱层；B、在InGaN阱层上制作GaN量子点；C、以GaN量子点为掩膜，刻蚀InGaN阱层，在GaN垒层上获得InGaN量子点；D、生长GaN盖层；E、在GaN盖层上生长第二GaN垒层，获得InGaN量子点外延结构。本发明通过制作GaN量子点，并以该GaN量子点作为掩膜来制作InGaN量子点的方法，可在衬底上制备获得尺寸均匀且可控的InGaN量子点；由此，以基于上述获得的InGaN量子点的InGaN量子点外延结构作为发光层而形成的发光器件，可具有更小的发光半宽。本发明还公开了一种具有上述外延生长方法获得的InGaN量子点外延结构的发光器件。
- 一种LED芯片及其制作方法-201710613467.7
- 刘英策;刘兆;宋彬;吴奇隆;李俊贤 - 厦门乾照光电股份有限公司
- 2017-07-25 - 2019-10-18 - H01L33/00
- 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：衬底；设置在衬底上的外延结构，外延结构包括依次设置的N型半导体层、量子阱发光层以及P型半导体层；外延结构的预设区域具有凹槽，凹槽用于露出部分N型半导体层；P型半导体层具有第一区域、第二区域以及第三区域；覆盖第一区域的第一透明导电层；覆盖第二区域以及部分第一透明导电层的电流阻挡层；覆盖另一部分第一透明导电层、第三区域以及部分电流阻挡层的第二透明导电层；覆盖另一部分电流阻挡层的P电极；设置在凹槽内，与N型半导体层电连接的N电极。本发明技术方案解决了LED芯片中电流扩散不均匀问题，提高了LED芯片发光的均匀性。
- 专利分类
