[发明专利]一种LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底表面具有外延结构，所述外延结构至少包括N型导电层、量子阱层和P型导电层；

对所述外延结构及衬底进行刻蚀，以在所述衬底表面及外延结构两侧分别形成一道切割痕迹，并使部分所述N型导电层暴露出来；

蒸镀电极，以在所述N型导电层表面形成N电极，在所述P型导电层表面形成P电极，在所述衬底表面形成第一切割电极和第二切割电极，所述第一切割电极和第二切割电极分别位于所述外延结构两侧，且完全覆盖所述切割痕迹；

设置第一引线和第二引线，以将所述N电极和P电极分别与所述第一切割电极和第二切割电极电连接；

形成覆盖所述外延结构、第一切割电极、第二切割电极、P电极和N电极的第一封装结构；

去除所述衬底，并在所述外延结构背离所述N电极一侧形成覆盖所述外延结构背离所述第一封装结构一侧表面的第二封装结构；

利用所述切割痕迹对所述第一切割电极和第二切割电极进行切割，以获得LED芯片。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成覆盖所述外延结构、第一切割电极、第二切割电极、P电极和N电极的第一封装结构包括：

利用整面灌胶工艺覆盖所述外延结构、第一切割电极、第二切割电极、P电极和N电极形成由预设材料形成的第一封装结构。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述外延结构背离所述N电极一侧形成覆盖所述外延结构背离所述第一封装结构一侧表面的第二封装结构包括：

利用点胶工艺覆盖所述外延结构背离所述第一封装结构一侧表面形成由预设材料形成的第二封装结构。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述预设材料为环氧树脂或硅-玻璃键合结构材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设置第一引线和第二引线，以将所述N电极和P电极分别与所述第一切割电极和第二切割电极电连接包括：

设置第一键合引线连接所述N电极和第一切割电极，以使所述N电极与所述第一切割电极电连接；

设置第二键合引线连接所述P电极和第二切割电极，以使所述P电极与所述第二切割电极电连接。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N型导电层为N型氮化镓层；

所述P型导电层为P型氮化镓层。

7.一种LED芯片，其特征在于，由权利要求1-6任一项所述的LED芯片的制备方法制备，所述LED芯片包括：

第一封装结构和第二封装结构，所述第一封装结构内部具有外延结构、P型电极、N型电极、第一引线、第二引线、第一切割电极和第二切割电极，其中；

所述外延结构位于所述第二封装结构表面，且至少包括N型导电层、量子阱层和P型导电层，所述P型导电层和量子阱层部分覆盖所述N型导电层；

所述N电极位于所述N型导电层表面，所述P电极位于所述P型导电层表面；

所述第一切割电极和第二切割电极分别位于所述外延结构两侧；

所述第一引线和第二引线用于实现所述第一切割电极、第二切割电极分别与P电极和N电极的电连接。

8.根据权利要求7所述的LED芯片，其特征在于，所述第一引线为第一键合引线，用于连接所述N电极和第一切割电极，以使所述N电极与所述第一切割电极电连接；

所述第二引线为第二键合引线，用于连接所述P电极和第二切割电极，以使所述P电极与所述第二切割电极电连接。

9.根据权利要求7所述的LED芯片，其特征在于，所述N型导电层为N型氮化镓层；

所述P型导电层为P型氮化镓层。

10.根据权利要求7所述的LED芯片，其特征在于，所述第一封装结构和第二封装结构的形成材料为环氧树脂或硅-玻璃键合结构材料。