[发明专利]超结半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201710931499.1 | 申请日： | 2017-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN109637969A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 钟圣荣 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/761 | 分类号： | H01L21/761;H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超结半导体器件及其制备方法，该制备方法包括：在第一型衬底上制备多个超结结构，多个所述超结结构沿所述第一型衬底的横向分为多个相互间隔的芯片区域；至少在相邻的所述芯片区域之间的间隔区域表面形成第一型掺杂层。采用该制备方法可以避免相邻芯片区域之间的表面电场对超结结构造成不良影响，改善芯片产品的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 超结结构 超结半导体器件 芯片区域 衬底 相邻芯片区域 表面电场 表面形成 间隔区域 芯片产品 掺杂层 | ||
【主权项】：
1.一种超结半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：在第一型衬底上制备多个超结结构，多个所述超结结构沿所述第一型衬底的横向分为多个相互间隔的芯片区域；至少在相邻的所述芯片区域之间的间隔区域表面形成第一型掺杂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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