[发明专利]超结半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种超结半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

在第一型衬底上制备多个超结结构，多个所述超结结构沿所述第一型衬底的横向分为多个相互间隔的芯片区域；

至少在相邻的所述芯片区域之间的间隔区域表面形成第一型掺杂层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述第一型衬底上制备多个超结结构之后，还包括：

将制备有多个超结结构的第一型衬底入库存储；

在所述至少在相邻的所述芯片区域之间的间隔区域表面形成第一型掺杂层之后，还包括：

在所述第一型掺杂层上制备表面半导体器件结构。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在第一型衬底上制备多个超结结构，包括：

在所述第一型衬底上形成第一型外延层；

沿所述第一型衬底的横向在所述第一型外延层中形成多个掺杂本体，各所述掺杂本体沿所述第一型衬底的纵向具有多层层叠的导电类型掺杂区；

经过处理使各所述掺杂本体的多层导电类型掺杂区内的掺杂杂质在所述第一型外延层中扩散。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述至少在相邻的所述芯片区域之间的区域表面形成第一型掺杂层，包括：

在各掺杂本体中位于最上层的各所述导电类型掺杂区的表面及位于相邻的掺杂本体之间的第一型外延层的表面生长第一型掺杂层。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述至少在相邻的所述芯片区域之间的区域表面形成第一型掺杂层，包括：

在每间隔预设个所述掺杂本体之间的间隔区域表面注入第一型杂质形成所述第一型掺杂层。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在每间隔预设个所述掺杂本体之间的间隔区域表面注入第一型杂质形成所述第一型掺杂层，包括：

在各所述掺杂本体的表面形成光刻胶；

对所述光刻胶进行处理，形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，所述光刻胶保留区域覆盖预设个所述掺杂本体，所述光刻胶去除区域对应各所述间隔区域；

以所述光刻胶保留区域的光刻胶为掩膜，在各所述间隔区域注入第一型杂质形成所述第一型掺杂层；

去除光刻胶保留区域的光刻胶。

7.一种超结半导体器件，其特征在于，包括：

第一型衬底；

所述第一型衬底上形成有多个超结结构，多个所述超结结构沿所述第一型衬底的横向包括多个相互间隔的芯片区域；

至少在相邻的所述芯片区域之间的间隔区域表面形成有第一型掺杂层。

8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，多个所述超结结构包括：

沿所述第一型衬底的横向形成有多个掺杂本体，各所述掺杂本体沿所述第一型衬底的纵向具有多层层叠的导电类型掺杂区；

各所述掺杂本体的多层导电类型掺杂区内的掺杂杂质在所述第一型外延层中扩散。

9.根据权利要求8所述的器件，其特征在于，包括：

在各掺杂本体中位于最上层的各所述导电类型掺杂区的表面及位于相邻的掺杂本体之间的第一型外延层的表面生长有所述第一型掺杂层。

10.根据权利要求8所述的器件，其特征在于，包括：

在每间隔预设个所述掺杂本体之间的间隔区域表面注入有第一型杂质以作为所述第一型掺杂层。