[发明专利]用于制造电子装置的方法和电子装置有效

专利信息
申请号: 201710929898.4 申请日: 2017-10-09
公开(公告)号: CN107895722B 公开(公告)日: 2021-07-27
发明(设计)人: S·蓬普尔;A·施梅恩;D·索伊卡;K·乌姆明格尔 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L23/60 分类号: H01L23/60
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 周家新
地址: 德国瑙伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 根据多种实施例,一种用于制造电子装置的方法可以包括:提供半导体载体,半导体载体包括彼此侧向间隔开的第一垂直集成的电子结构和第二垂直集成的电子结构,电连接层设置在半导体载体的第一侧之上并且将第一垂直集成的电子结构和第二垂直集成的电子结构彼此电连接;将半导体载体安装在支撑载体上,半导体载体的第一侧面向支撑载体;从与第一侧相反的第二侧薄化半导体载体;去除半导体载体的处于第一垂直集成的电子结构与第二垂直集成的电子结构之间的分离区域中的材料,以使第一垂直集成的电子结构的第一半导体区域与第二垂直集成的电子结构的第二半导体区域分离,第一垂直集成的电子结构和第二垂直集成的电子结构经由电连接层保持彼此电连接。
搜索关键词: 用于 制造 电子 装置 方法
【主权项】:
一种用于制造电子装置的方法,所述方法包括:提供半导体载体,所述半导体载体包括彼此侧向间隔开的第一垂直集成的电子结构和第二垂直集成的电子结构,电连接层设置在所述半导体载体的第一侧之上并将所述第一垂直集成的电子结构和所述第二垂直集成的电子结构彼此电连接;将所述半导体载体安装在支撑载体上,其中,所述半导体载体的所述第一侧面向支撑载体;从所述半导体载体的与所述半导体载体的第一侧相反的第二侧薄化所述半导体载体;去除所述半导体载体的处于所述第一垂直集成的电子结构与所述第二垂直集成的电子结构之间的分离区域中的材料,以使所述第一垂直集成的电子结构的第一半导体区域与所述第二垂直集成的电子结构的第二半导体区域分离,其中,所述第一垂直集成的电子结构和所述第二垂直集成的电子结构经由所述电连接层保持彼此电连接。
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