[发明专利]用于制造电子装置的方法和电子装置

权利要求书

1.一种用于制造电子装置的方法，所述方法包括：

提供半导体载体，所述半导体载体包括彼此侧向间隔开的第一垂直集成的电子结构和第二垂直集成的电子结构，电连接层设置在所述半导体载体的第一侧之上并将所述第一垂直集成的电子结构和所述第二垂直集成的电子结构彼此电连接；

将所述半导体载体安装在支撑载体上，其中，所述半导体载体的所述第一侧面向支撑载体；

从所述半导体载体的与所述半导体载体的第一侧相反的第二侧薄化所述半导体载体；

去除所述半导体载体的处于所述第一垂直集成的电子结构与所述第二垂直集成的电子结构之间的分离区域中的材料，以使所述第一垂直集成的电子结构的第一半导体区域与所述第二垂直集成的电子结构的第二半导体区域分离，其中，所述第一垂直集成的电子结构和所述第二垂直集成的电子结构经由所述电连接层保持彼此电连接，

其中，所述电连接层包括导电材料构成的金属化层和/或图案化层。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述电连接层包括：

嵌入在电介质材料中并电接触所述第一垂直集成的电子结构的至少一个第一接触区域的至少一个第一过孔；

嵌入在电介质材料中并电接触所述第二垂直集成的电子结构的至少一个第二接触区域的至少一个第二过孔；以及

嵌入在电介质材料中的一个或两个以上金属线，所述一个或两个以上金属线将所述至少一个第一过孔和所述至少一个第二过孔侧向彼此电连接。

3.根据权利要求1或2所述的方法，

其中，通过去除所述半导体载体的处于分离区域中的材料至少部分地暴露所述电连接层。

4.根据权利要求1或2所述的方法，

其中，将所述半导体载体安装在所述支撑载体上包括：经由粘合剂层将所述电连接层粘附到所述支撑载体。

5.根据权利要求1或2所述的方法，

其中，薄化所述半导体载体包括：将所述半导体载体的厚度减小到小于15μm。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述方法还包括：

在薄化所述半导体载体之后，形成设置在所述半导体载体的所述第二侧上的第一接触结构以电接触所述第一垂直集成的电子结构，并形成设置在所述半导体载体的所述第二侧上的第二接触结构以电接触所述第二垂直集成的电子结构。

7.根据权利要求6所述的方法，

其中，所述第一接触结构具有与所述第一垂直集成的电子结构的所述第一半导体区域基本上相同的侧向延伸尺度，所述第二接触结构具有与所述第二垂直集成的电子结构的所述第二半导体区域基本上相同的侧向延伸尺度。

8.根据权利要求1至2、7中任一项所述的方法，其中，所述方法还包括：

在去除所述半导体载体的处于分离区域中的材料之后，形成侧向围绕所述第一垂直集成的电子结构的所述第一半导体区域的第一钝化结构，并且形成侧向围绕所述第二垂直集成的电子结构的所述第二半导体区域的第二钝化结构。

9.根据权利要求1至2、7中任一项所述的方法，其中，所述方法还包括：

在支撑载体中形成至少一个沟槽结构，所述至少一个沟槽结构侧向围绕至少一个支撑载体区域，其中，所述半导体载体安装到所述支撑载体，使得所述第一垂直集成的电子结构和所述第二垂直集成的电子结构与支撑载体区域对正。

10.根据权利要求1至2、7中任一项所述的方法，

其中，所述第一垂直集成的电子结构是第一垂直静电放电保护结构，所述第二垂直集成的电子结构是第二垂直静电放电保护结构。

11.根据权利要求1或2所述的方法，

其中，将所述半导体载体安装在所述支撑载体上包括：经由结合将所述电连接层粘附到所述支撑载体。